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数据 薄板
1 mbit 页-模式 可擦可编程只读存储器
sst29ee010 / sst29le010 / sst29ve010
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71061-07-000 6/01 304
读
这 读 行动 的 这 sst29ee/le/ve010 是 con-
trolled 用 ce# 和 oe#, 两个都 有 至 是 低 为 这 系统
至 获得 数据 从 这 输出. ce# 是 使用 为 设备
选择. 当 ce# 是 高, 这 碎片 是 deselected 和
仅有的 备用物品 电源 是 consumed. oe# 是 这 输出 控制
和 是 使用 至 门 数据 从 这 输出 管脚. 这 数据 总线
是 在 高 阻抗 状态 当 也 ce# 或者 oe# 是 高.
谈及 至 这 读 循环 定时 图解 为 further 详细信息
(图示 4).
写
这 页-写 至 这 sst29ee/le/ve010 应当 总是
使用 这 电子元件工业联合会 标准 软件 数据 保护 (sdp)
三-字节 command sequence. 这 sst29ee/le/ve010
包含 这 optional 电子元件工业联合会 批准 软件 数据 pro-
tection scheme. sst 推荐 那 sdp 总是 是
使能, 因此, 这 描述 的 这 写 行动 将
是 给 使用 这 sdp 使能 format. 这 三-字节
sdp 使能 和 sdp 写 commands 是 完全同样的;
因此, 任何 时间 一个 sdp 写 command 是 issued, 软-
ware 数据 保护 是 automatically 使确信. 这 第一
时间 这 三-字节 sdp command 是 给, 这 设备
变为 sdp 使能. subsequent issuance 的 这 一样
command bypasses 这 数据 保护 为 这 页 正在
写. 在 这 终止 的 这 desired 页-写, 这 全部
设备 仍然是 保护. 为 额外的 描述,
请 看 这 应用 注释,
这 恰当的 使用 的
电子元件工业联合会 标准 软件 数据 保护
和
Protecting
相反 unintentional 写 当 使用 单独的 电源
供应 flash memories
.
这 写 运作 组成 的 三 步伐. 步伐 1 是 这
三-字节 加载 sequence 为 软件 数据 保护.
步伐 2 是 这 字节-加载 循环 至 一个 页 缓存区 的 这
sst29ee/le/ve010. 步伐 1 和 2 使用 这 一样 定时
为 两个都 行动. 步伐 3 是 一个 内部 控制 写
循环 为 writing 这 数据 承载 在 这 页 缓存区 在 这
记忆 排列 为 nonvolatile 存储. 在 两个都 这 sdp
三-字节 加载 sequence 和 这 字节-加载 循环, 这
地址 是 latched 用 这 下落 边缘 的 也 ce# 或者
we#, whichever occurs last. 这 数据 是 latched 用 这 ris-
ing 边缘 的 也 ce# 或者 we#, whichever occurs 第一. 这
内部的 写 循环 是 initiated 用 这 t
BLCO
计时器 之后 这
rising 边缘 的 we# 或者 ce#, whichever occurs 第一. 这
写 循环, once initiated, 将 continue 至 completion, typi-
cally 在里面 5 ms. 看 计算数量 5 和 6 为 we# 和 ce#
控制 页-写 循环 定时 图解 和 计算数量
15 和 17 为 flowcharts.
这 写 运作 有 三 函数的 循环: 这 软-
ware 数据 保护 加载 sequence, 这 页 加载 循环,
和 这 内部的 写 循环. 这 软件 数据 保护
组成 的 一个 明确的 三-字节 加载 sequence 那 准许
writing 至 这 选择 页 和 将 leave 这 sst29ee/
le/ve010 保护 在 这 终止 的 这 页-写. 这
页 加载 循环 组成 的 加载 1 至 128 字节 的 数据
在 这 页 缓存区. 这 内部的 写 循环 组成 的 这
T
BLCO
时间-输出 和 这 写 计时器 运作. 在 这
写 运作, 这 仅有的 有效的 读 是 data# polling 和
至g gleB it .
这 页-写 运作 准许 这 加载 的 向上 至 128
字节 的 数据 在 这 页 缓存区 的 这 sst29ee/le/
ve010 在之前 这 initiation 的 这 内部的 写 循环. dur-
ing 这 内部的 写 循环, 所有 这 数据 在 这 页 缓存区 是
写 同时发生地 在 这 memory 排列. hence, 这
页-写 特性 的 sst29ee/le/ve010 准许 这 全部
记忆 至 是 写 在 作 little 作 5 秒. 在 这
内部的 写 循环, 这 host 是 自由 至 执行 额外的
tasks, 此类 作 至 fetch 数据 从 其它 locations 在 这 sys-
tem 至 设置 向上 这 写 至 这 next 页. 在 各自 页-写
运作, 所有 这 字节 那 是 承载 在 这 页 缓存区
必须 有 这 一样 页 地址, i.e. 一个
7
通过 一个
16
. 任何
字节 不 承载 和 用户 数据 将 是 写 至 ffh.
看 计算数量 5 和 6 为 这 页-写 循环 定时 dia-
grams. 如果 之后 这 completion 的 这 三-字节 sdp 加载
sequence 或者 这 最初的 字节-加载 循环, 这 host 负载 一个 秒-
ond 字节 在 这 页 缓存区 在里面 一个 字节-加载 循环 时间
(t
BLC
) 的 100 µs, 这 sst29ee/le/ve010 将 停留 在 这
页 加载 循环. 额外的 字节 是 然后 承载 consecu-
tively. 这 页 加载 循环 将 是 terminated 如果 非 addi-
tional 字节 是 承载 在 这 页 缓存区 在里面 200 µs
(t
BLCO
) 从 这 last 字节-加载 循环, i.e., 非 subsequent
we# 或者 ce# 高-至-低 转变 之后 这 last rising 边缘
的 we# 或者 ce#. 数据 在 这 页 缓存区 能 是 changed 用
一个 subsequent 字节-加载 循环. 这 页 加载 时期 能
continue indefinitely, 作 长 作 这 host 持续 至 加载
这 设备 在里面 这 字节-加载 循环 时间 的 100 µs. 这
页 至 是 承载 是 决定 用 这 页 地址 的
这 last 字节 承载.
软件 碎片-擦掉
这 sst29ee/le/ve010 提供 一个 碎片-擦掉 运作,
这个 准许 这 用户 至 同时发生地 clear 这 全部
记忆 排列 至 这
“
1
”
状态. 这个 是 有用的 当 这 全部
设备 必须 是 quickly erased.
这 软件 碎片-擦掉 运作 是 initiated 用 使用 一个
明确的 六-字节 加载 sequence. 之后 这 加载 sequence,
这 设备 enters 在 一个 内部 安排时间 循环 类似的 至 这
写 循环. 在 这 擦掉 运作, 这 仅有的 有效的 读
是 toggle 位. 看 表格 4 为 这 加载 sequence, 图示 10
为 定时 图解, 和 图示 19 为 这 flowchart.
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