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资料编号:230758
 
资料名称:HCPL-181-00BE
 
文件大小: 74.3K
   
说明
 
介绍:
Phototransistor Optocoupler SMD Mini-Flat Type
 
 


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图示 10. 回馈 时间 vs. 加载 阻抗. 图示 11. 频率 回馈.
电压 增益 av
dB
f
频率
kHz
1 20 5005
20
10
210500.5
0
100 200
R
L
= 10 k
R
L
= 1 k
R
L
= 100
V
CE
= 2 v
I
C
= 2 毫安
T
一个
= 25
°
C
回馈 时间
µs
0.1
R
L
加载 阻抗
k
0.1 5
1
0.5
0.2
0.5
500
0.2 2 100.05
2
V
CE
= 2 v
I
C
= 2 毫安
T
一个
= 25
°
C
tf
tr
1
5
10
20
50
100
200
ts
td
图示 4. 向前 电流 vs. 向前 电压. 图示 5. 电流 转移 比率 vs. 向前
电流.
图示 6. 集电级 电流 vs. 集电级-
发射级 电压.
图示 7. 相关的 电流 转移 比率 vs.
温度.
图示 8. 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 温度.
图示 9. 集电级 dark 电流 vs.
温度.
I
F
向前 电流
毫安
1
V
F
向前 电压
V
2.0 3.0
10
5
500
1.00
T
一个
= 75
°
C
0.5 1.5 2.5
2
20
50
100
200
T
一个
= 50
°
C
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 0
°
C
T
一个
= -25
°
C
0
I
F
向前 电流
毫安
10 50
40
200
20
20
60
120
140
160
CTR
电流 转移 比率
%
V
CE
= 5 v
T
一个
= 25
°
C
80
100
180
520
I
C
集电级 电流
毫安
0
V
CE
集电级-发射级 电压
V
69
40
20
50
30
P
C
(最大值.)
T
一个
= 25
°
C
I
F
= 30 毫安
I
F
= 25 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 5 毫安
30
10
I
F
= 20 毫安
I
F
= 15 毫安
12 45 78
V
ce(sat.)
集电级-发射级
饱和 电压
V
0
0.06
0.02
0.10
I
C
= 1 毫安
I
F
= 20 毫安
T
一个
包围的 温度
°
C
6040 80 10020
0.04
0.08
I
CEO
集电级 dark 电流
nA
T
一个
包围的 温度
°
C
1
10
100
1000
806040 10020
10000
V
CE
= 20 v
相关的 电流 转移 比率
%
0
100
50
150
V
CE
= 2 v
I
F
= 5 毫安
T
一个
包围的 温度
°
C
8040 60 10020
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