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资料编号：231546
 
资料名称：CR02AM
 
文件大小： 67.32K
   
说明：
 
介绍:
LOW POWER USE PLANAR PASSIVATION TYPE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sep.2000
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR02AM
低 电源 使用
2
10
–2
10
0
10
1
10
1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–2
23 57 23 57
10
–1
10
2
23 57 23 57
V
FGM
= 6v
V
GT
= 0.8v
I
GT
= 100
µ
一个
(t
j
= 25
°
c)
P
GM
= 0.1w
P
g(av)
= 0.01w
V
GD
= 0.2v I
FGM
= 0.1a
2310
–3
5710
–2
23 5710
–1
23 5710
0
200
0
80
100
120
140
160
180
40
60
20
2310
0
5710
1
23 5710
2
23 5710
3
200
160
140
120
60
80
20
0
160–40
–20 20 80 140120
40
100
180
06040 100
# 1
# 2
I
GT
(25
°
c)
# 1 32
µ
一个
# 2 9
µ
一个
典型 例子
14040–40–60
–20 0 20 60 80 100120
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
典型 例子
1.0
0.8
0.7
0.6
0.3
0.4
0.1
0
160–40
–20 20 80 140120
0.2
0.5
0.9
06040 100
典型 例子
分发
0.8
0.6
0.3
0.2
0.1
0.7
0.5
0.4
0
0.40
0.1 0.2 0.3
θ
360
°
θ
= 30
°
60
°
120
°
90
°
180
°
resistive, inductive 负载
最大 平均 电源 消耗
(单独的-阶段 half 波)
平均 电源 消耗 (w)
平均 在-状态 电流 (一个)
门 触发 电压 vs.
接合面 温度
门 触发 电压
(
V
)
接合面 温度 (
°
c)
最大 瞬时 热的
阻抗 特性
(接合面 至 包围的)
瞬时 热的 阻抗 (
°
c/w)
时间 (s)
门 电压 (v)
门 电流 (毫安)
门 触发 电流 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c)
门 电流 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c)
看
∗
3
门 特性
100 (%)
门 触发 电流 (t
j
= t
°
c)
门 触发 电流 (t
j
= 25
°
c)
100 (%)
门 电流
(
T
j
= t
°
C
)
门 电流
(
T
j
= 25
°
C
)
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