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资料编号：231546
 
资料名称：CR02AM
 
文件大小： 67.32K
   
说明：
 
介绍:
LOW POWER USE PLANAR PASSIVATION TYPE
 
 


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4
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sep.2000
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR02AM
低 电源 使用
0
5710
1
23 5710
2
23 5710
3
120
0
80
100
40
60
20
# 1
# 2
典型 例子
# 1 i
GT
(25
°
c)=10
µ
一个
# 2 i
GT
(25
°
c)=66
µ
一个
T
j
= 125
°
c, r
GK
= 1k
Ω
160
120
100
40
60
20
0
160–40
–20 20 80 140120
80
140
06040 100
典型 例子
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
0
200
300
400
500
100
# 1
# 2
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
120
0
80
100
40
60
20
T
j
= 125
°
C
典型 例子
60–20–40–60
0 20 40 80 100120140
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
典型
例子
分发
10
3
23410
0
5710
1
2345710
2
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
10
2
10
1
# 1
# 2
典型 例子
I
GT
(25
°
c)
# 1 10
µ
一个
# 2 66
µ
一个
breakover 电压 vs.
门 至 cathode 阻抗
门 至 cathode 阻抗 (k
Ω
)
100 (%)
breakover 电压
(
R
GK
=rk
Ω
)
breakover 电压
(
R
GK
= 1k
Ω
)
支持 电流 vs.
接合面 温度
支持 电流 (毫安)
接合面 温度 (
°
c)
支持 电流 vs.
门 至 cathode 阻抗
门 至 cathode 阻抗 (k
Ω
)
100 (%)
支持 电流
(
R
GK
=rk
Ω
)
支持 电流
(
R
GK
= 1k
Ω
)
breakover 电压 vs.
比率 的 上升 的 止-状态 电压
比率 的 上升 的 止-状态 电压 (v/
µ
s)
100 (%)
breakover 电压
(
dv/dt = vv/
µ
s
)
breakover 电压
(
dv/dt = 1v/
µ
s
)
门 触发 电流 vs.
门 电流 脉冲波 宽度
100 (%)
门 触发 电流
(
tw
)
门 触发 电流
(
直流
)
repetitive 顶峰 反转 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c) 门 电流 脉冲波 宽度 (
µ
s)
100 (%)
repetitive 顶峰 反转 电压 (t
j
= t
°
C
)
repetitive 顶峰 反转 电压 (t
j
= 25
°
C
)
T
j
= 25
°
C
I
H
(25
°
c)=1ma
I
GT
(25
°
c)=25
µ
一个
T
j
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C
典型 例子
I
GT
(25
°
c) i
H
(1k
Ω
)
# 1 13
µ
一个 1.6ma
# 2 59
µ
一个 1.8ma
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