NID9N05CL
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4
0
0.15
1210
0.1
0.05
0
614
0.2
0.35
16
2.5
1.5
1
0.5
100
10,000
1,000,000
08
8
21
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
2
0.3
108
0.1
0
612
图示 3. on−resistance 相比
gate−to−source 电压
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
18
−50 50250−25 75 125100
16
403020 50
3
4
12
8 v
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 12 v
150 175
V
GS
= 0 v
I
D
= 9 一个
V
GS
= 12 v
16
0.2
0.5
V
GS
= 10 v
I
D
= 4.5 一个
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
4
0
16
8
12
4
T
J
= 25
°
C
45
1000
6.5 v
5 v
4 v
3.8 v
4567 23 5
0.4
0.25
0.3
2
6
2
10
14
6 v
T
J
= 25
°
C
4.6 v
4.2 v
3.4 v
3.2 v
2.8 v
6
2
18
10
14
978
4
V
GS
= 4 v
28418
0.4
100,000
25 35
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