NID9N05CLT4_集成电路资料查询网

NID9N05CL
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5
C
rss
020304050
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
图示 7. 电容 变化
200
0
300
100
10
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
oss
C
iss
400
500
频率 = 10 khz
V
DS
V
GS
10
0
0.4
drain−to−source 二极管 特性
V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source
电压 相比 总的 承担
I
S
, 源 电流 (放大器)
图示 9. resistive 切换 时间
变化 相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (ohms)
1 10 100
10,000
100
t, 时间 (ns)
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
0
5
3
1
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
4
2
312 5
1.2
2
4
6
I
D
= 9 一个
T
J
= 25
°
C
Q
gd
Q
gs
Q
T
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
1000
V
DD
= 40 v
I
D
= 9 一个
V
GS
= 10 v
4
8
1.00.80.6
50
40
30
20
10
0
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)

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NID9N05CL http://onsemi.com 5 C rss 020304050 V DS , drain−to−source 电压 (伏特) c, 电容 (pf) 图示 7. 电容变化 200 0 300 100 10 V GS = 0 v T J = 25 ° C C oss C iss 400 500 频率 = 10 khz V DS V GS 10 0 0.4 drain−to−source 二极管特性 V SD , source−to−drain 电压 (伏特) 图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压相比总的承担 I S , 源电流 (放大器) 图示 9. resistive 切换时间变化相比门阻抗 R G , 门阻抗 (ohms) 1 10 100 10,000 100 t, 时间 (ns) V GS = 0 v T J = 25 ° C 图示 10. 二极管向前电压相比电流 V GS , gate−to−source 电压 (伏特) 0 5 3 1 0 Q g , 总的门承担 (nc) 4 2 312 5 1.2 2 4 6 I D = 9 一个 T J = 25 ° C Q gd Q gs Q T t r t d(止) t d(在) t f 1000 V DD = 40 v I D = 9 一个 V GS = 10 v 4 8 1.00.80.6 50 40 30 20 10 0 V DS , drain−to−source 电压 (伏特)

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