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资料编号:253939
 
资料名称:TC58DAM72A1FT00
 
文件大小: 369.62K
   
说明
 
介绍:
128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM
 
 


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tc58dvm72a1ft00/ tc58dvm72f1ft00
tc58dam72a1ft00/ tc58dam72f1ft00
2003-01-24 3/34
块 图解
绝对 最大 比率
标识 比率
tc58dvxxxxx tc58daxxxx 单位
V
CC
电源 供应 电压
0.6~4.6
0.6~4.6 v
V
CCQ
i/o 端口 电源 供应 电压
0.6~4.6
0.6~2.6 v
V
输入 电压 为 控制 管脚
0.6~4.6
0.6~2.6 v
V
i/o
输入/输出 电压 为 i/o 管脚
0.6 v~v
CCQ
0.3 v ( 4.6 v)
0.6 v~v
CCQ
0.3 v ( 2.6 v)
P
D
电源 消耗 0.3 0.3 W
T
焊盘
焊接 温度(10s) 260 260 °C
T
stg
存储 温度
55~150
55~150 °c
T
opr
运行 温度 0~70 0~70 °C
电容 *(ta =25°c, f= 1 mhz)
symb0l 参数 情况 最小值 最大值 单位
C
输入 V
0 v
10 pf
C
输出
输出 V
输出
0 v

10 pf
*
这个 参数 是 periodically 抽样 和 是 不 测试 为 每 设备.
V
CC
i/o 控制 电路
状态 寄存器
地址 寄存器
command 寄存器
column 缓存区
column 解码器
数据 寄存器
sense 放大
记忆 cell 排列控制
hv 发生器
行 地址 解码器
逻辑 控制
用/ry
i/o1
V
SS
i/o8
或者
i/o16
WP
CE
CLE
ALE
我们
RE
用/ry
行 地址 缓存区
解码器
V
CCQ
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