tc58dvm72a1ft00/ tc58dvm72f1ft00
tc58dam72a1ft00/ tc58dam72f1ft00
2003-01-24 5/34
交流 特性 和 推荐 运行 情况
(ta
0° 至 70°c, v
CC
2.7 v 至 3.6 v)
标识 参数 最小值 最大值 单位 注释
t
CLS
cle 建制 时间 0
ns
t
CLH
cle 支撑 时间 10
ns
t
CS
CE
建制 时间 0
ns
t
CH
CE
支撑 时间 10
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 25
ns
t
ALS
ale 建制 时间 0
ns
t
ALH
ale 支撑 时间 10
ns
t
DS
数据 建制 时间 20
ns
t
DH
数据 支撑 时间 10
ns
t
WC
写 循环 时间 50
ns
t
WH
我们
高 支撑 时间 15
ns
t
WW
WP
高 至
我们
低 100
ns
t
RR
准备好 至
RE
下落 边缘 20
ns
t
RP
读 脉冲波 宽度 35
ns
t
RC
读 循环 时间 50
ns
t
REA
RE
进入 时间 (串行 数据 进入)
35 ns
t
CEA
CE
进入 时间 (串行 数据 进入,id 读)
45 ns
t
ALEA
ale 进入 时间 (id 读)
ns
t
CEH
CE
高 时间 为 last 地址 在 串行 读 循环
ns (2)
t
REAID
RE
进入 时间 (id 读)
35 ns
t
OH
数据 输出 支撑 时间 10
ns
t
RHZ
RE
高 至 输出 高 阻抗
30 ns
t
CHZ
CE
高 至 输出 高 阻抗
20 ns
t
REH
RE
高 支撑 时间 15
ns
t
IR
输出-高-阻抗-至-
RE
下落 边缘 0
ns
t
RSTO
RE
进入 时间 (状态 读)
35 ns
t
CSTO
CE
进入 时间 (状态 读)
45 ns
t
RHW
RE
高 至
我们
低 0
ns
t
WHC
我们
高 至
CE
低 30
ns
t
WHR
我们
高 至
RE
低 30
ns
t
R
记忆 cell 排列 至 开始 地址
25
s
t
WB
我们
高 至 busy
200 ns
t
AR2
ale 低 至
RE
低 (读 循环) 50
ns
t
RB
RE
last 时钟 rising 边缘 至 busy(在 sequential 读)
200 ns
t
CRY
CE
高 至 准备好(当 interrupted 用
CE
在 读 模式)
1+
tr(
用/ry )
s
(1)(2)
t
RST
设备 重置 时间 (读/程序/擦掉)
6/10/500
s
交流 测试 情况
情况
参数
tc58dvxxxxx tc58daxxxx
输入 水平的 2.4 v, 0.4 v V
CCQ
-0.2 v, 0.2 v
输入 脉冲波 上升 和 下降 时间 3 ns 3 ns
输入 comparison 水平的 1.5 v, 1.5 v 0.9 v, 0.9 v
输出 数据 comparison 水平的 1.5 v, 1.5 v 0.9 v, 0.9 v
输出 加载 C
L
(100 pf)
1 ttl C
L
(30 pf)
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