1/41april 2002
M29W800DT
M29W800DB
8 mbit (1mb x8 或者 512kb x16, 激励 块)
3v 供应 flash 记忆
特性 summary
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供应 电压
–V
CC
=
2.7v 至 3.6v 为 程序, 擦掉 和
读
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进入 时间: 70, 90ns
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程序编制 时间
– 10µs 每 字节/文字 典型
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19 记忆 blocks
– 1 激励 块 (顶 或者 bottom location)
– 2 参数 和 16 主要的 blocks
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程序/擦掉 控制
– embedded 字节/文字 程序 algorithms
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擦掉 suspend 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 suspend
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unlock 绕过 程序 command
– faster 生产/批 程序编制
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temporary 块 unprotection
模式
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一般 flash 接口
– 64 位 安全 代号
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低 电源 消耗量
– 备用物品 和 自动 备用物品
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
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电子的 signature
– 生产者 代号: 0020h
– 顶 设备 代号 m29w800dt: 22d7h
– bottom 设备 代号 m29w800db: 225bh
图示 1. 包装
tsop48 (n)
12 x 20mm
tfbga48 (za)
8 x 6 球 排列
FBGA
so44 (m)
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