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m29w800dt, m29w800db
summary 描述
这 m29w800d 是 一个 8 mbit (1mb x8 或者 512kb x16)
非-易变的 记忆 那 能 是 读, erased 和
reprogrammed. 这些 行动 能 是 每-
formed 使用 一个 单独的 低 电压 (2.7 至 3.6v)
供应. 在 电源-向上 这 记忆 defaults 至 它的
读 模式 在哪里 它 能 是 读 在 这 一样 方法
作 一个 只读存储器 或者 非易失存储器.
这 记忆 是 分隔 在 blocks 那 能 是
erased independently 所以 它 是 可能 至 preserve
有效的 数据 当 old 数据 是 erased. 各自 块 能
是 保护 independently 至 阻止 意外的
程序 或者 擦掉 commands 从 modifying 这
记忆. 程序 和 擦掉 commands 是 writ-
ten 至 这 command 接口 的 这 记忆. 一个
在-碎片 程序/擦掉 控制 使简化 这
处理 的 程序编制 或者 erasing 这 记忆 用
带去 小心 的 所有 的 这 特定的 行动 那 是
必需的 至 更新 这 记忆 内容.
这 终止 的 一个 程序 或者 擦掉 运作 能 是
发现 和 任何 错误 情况 identified. 这
command 设置 必需的 至 控制 这 记忆 是
consistent 和 电子元件工业联合会 standards.
这 blocks 在 这 记忆 是 asymmetrically ar-
ranged, 看 计算数量 6 和 7, 块 地址.
这 第一 或者 last 64 kbytes 有 被 分隔 在
四 额外的 blocks. 这 16 kbyte 激励 块
能 是 使用 为 小 initialization 代号 至 开始 这
微处理器, 这 二 8 kbyte 参数
blocks 能 是 使用 为 参数 存储 和 这
remaining 32k 是 一个 小 主要的 块 在哪里 这 ap-
plication 将 是 贮存.
碎片 使能, 输出 使能 和 写 使能 sig-
nals 控制 这 总线 运作 的 这 记忆.
它们 准许 简单的 连接 至 大多数 micropro-
cessors, 常常 没有 额外的 逻辑.
这 记忆 是 offered 在 so44, tsop48 (12 x
20mm) 和 tfbga48 (0.8mm 程度) 包装.
这 记忆 是 有提供的 和 所有 这 位 erased
(设置 至 ’1’).
图示 2. 逻辑 图解 表格 1. 信号 names
AI05470
19
a0-a18
W
dq0-dq14
V
CC
M29W800DT
M29W800DB
E
V
SS
15
G
RP
DQ15A–1
字节
RB
a0-a18 地址 输入
dq0-dq7 数据 输入/输出
dq8-dq14 数据 输入/输出
DQ15A–1 数据 输入/输出 或者 地址 输入
E
碎片 使能
G
输出 使能
W
写 使能
RP
重置/块 temporary unprotect
RB
准备好/busy 输出
(不 有 在 so44 包装)
字节
字节/文字 organization 选择
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
NC 不 连接 内部
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