DCR1277SD
2/9
surge 比率
情况
10ms half sine; t
情况
= 125
o
C
V
R
= 50% v
RRM
- 1/4 sine
10ms half sine; t
情况
= 125
o
C
V
R
= 0
最大值 单位
标识
参数
I
TSM
surge (非-repetitive) 在-状态 电流
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing
I
TSM
surge (非-repetitive) 在-状态 电流
I
2
t
I
2
t 为 fusing 2.82 x 10
6
一个
2
s
23.75 kA
1.8 x 10
6
一个
2
s
19.0 kA
热的 和 机械的 数据
直流
情况 最小值 最大值 单位
o
c/w- 0.036anode 直流
夹紧 强迫 22.0kn
和 挂载 复合
热的 阻抗 - 情况 至 散热器
R
th(c-h)
0.004
翻倍 一侧
-
125
o
C
T
vj
模拟的 接合面 温度
T
stg
存储 温度 范围
反转 (blocking)
单独的 一侧
-
热的 阻抗 - 接合面 至 情况
R
th(j-c)
单独的 一侧 cooled
标识
参数
夹紧 强迫
20.0 24.0 kN
-55 125
o
C
-
在-状态 (组织) - 135
o
C
- 0.008
o
c/w
o
c/w
cathode 直流 - 0.044
o
c/w
翻倍 一侧 cooled
- 0.020
o
c/w
电流 比率
T
情况
= 80˚c 除非 陈述 否则.
标识 参数 情况
翻倍 一侧 cooled
I
t(av)
意思 在-状态 电流
I
t(rms)
rms 值
I
T
持续的 (直接) 在-状态 电流
单独的 一侧 cooled (anode 一侧)
I
t(av)
意思 在-状态 电流
I
t(rms)
rms 值
I
T
持续的 (直接) 在-状态 电流
unitsmax.
half 波 resistive 加载 995 一个
- 1565 一个
- 1420 一个
half 波 resistive 加载 690 一个
- 1085 一个
- 920 一个
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