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资料编号:255863
 
资料名称:DCR1277SD34
 
文件大小: 69.6K
   
说明
 
介绍:
Phase Control Thyristor
 
 


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DCR1277SD
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动态 特性
参数
标识
情况 典型值 最大值 单位
门 触发 特性 和 比率
V
DRM
= 5v, t
情况
= 25
o
C
ConditionsParameterSymbol
V
GT
门 触发 电压 V
DRM
= 5v, t
情况
= 25
o
C
I
GT
门 触发 电流
V
GD
门 非-触发 电压 在 v
DRM
T
情况
= 125
o
C
4.0 V
400 毫安
0.25 V
最大值 单位
I
RRM
/i
DRM
顶峰 反转 和 止-状态 电流 在 v
RRM
/v
DRM
, t
情况
= 125
o
C
从 67% v
DRM
至 1000a
门 源 10v, 5
t
r
0.5
µ
s, t
j
= 125
o
C
dv/dt 最大 直线的 比率 的 上升 的 止-状态 电压 至 67% v
DRM
T
j
= 125
o
c.
- 150 毫安
- 300 v/
µ
s
repetitive 50hz
- 100 一个/
µ
s
非-repetitive
- 150 一个/
µ
s
比率 的 上升 的 在-状态 电流
di/dt
V
t(至)
门槛 电压 在 t
vj
= 125
o
C
r
T
在-状态 斜度 阻抗 在 t
vj
= 125
o
C
t
gd
延迟 时间
0.95-v
- 0.45 m
- 2.5
µ
s
V
D
= 67% v
DRM
, 门 源 30v, 15
t
r
= 0.5
µ
s, t
j
= 25
o
C
I
T
= 2000a, t
p
= 1ms, t
j
= 125˚c,
V
R
= 50v, di
RR
/dt = 5a/
µ
s,
V
DR
= 67% v
DRM
, dv
DR
/dt = 20v/
µ
s 直线的
µ
s650500转变-止 timet
q
I
L
闭锁 电流 T
j
= 25
o
c, v
D
= 5v
I
H
支持 电流 T
j
= 25
o
c, r
g-k
=
700 1000 毫安
200 500 毫安
V
FGM
顶峰 向前 门 电压 anode 积极的 和 遵守 至 cathode
V
FGN
顶峰 向前 门 电压 anode 负的 和 遵守 至 cathode
V
RGM
顶峰 反转 门 电压
I
FGM
顶峰 向前 门 电流 anode 积极的 和 遵守 至 cathode
P
GM
顶峰 门 电源 看 表格, 图.4
P
g(av)
意思 门 电源
30 V
0.25 V
5V
10 一个
150 W
5W
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