S-8261ABJMD-G3J-T2_集成电路资料查询网

电池 保护 ic 为 单独的-cell 包装
rev.1.9
_00
s-8261 序列
seiko 器械 公司
3

块 图解
1.
产品 和 0 v 电池 承担 函数
+
−
−
+
VM
VSS
VDD
DP
CO
做
Overcharge
发现
比较器
overcurrent 2
发现 比较器
−
+
−
+
输出 控制 电路
0 v 电池 承担
电路
Overdischarge
发现
比较器
加载 短的-circuiting
发现 比较器
分隔物
控制
逻辑
振荡器 控制 电路
R
VMD
R
VMS
Charger
发现 电路
overcurrent 1
发现 比较器
−
+
Remark
  所有 这 二极管 显示 在 the 图示 是 parasitic 二极管.
图示 1
2. 产品 和 0 v 电池 承担 inhibition 函数
+
−
−
+
VM
VSS
VDD
DP
CO
做
Overcharge
发现
比较器
overcurrent 2
发现 比较器
−
+
−
+
输出 控制 电路
0 v 电池 承担
inhibition 电路
Overdischarge
发现
比较器
加载 短的-circuiting
发现 比较器
分隔物
控制
逻辑
振荡器 控制 电路
R
VMD
R
VMS
Charger
发现 电路
overcurrent 1
发现 比较器
−
+
Remark
  所有 这 二极管 显示 在 the 图示 是 parasitic 二极管.
图示 2

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电池保护 ic 为单独的-cell 包装 rev.1.9 _00 s-8261 序列 seiko 器械公司 3  块图解 1. 产品和 0 v 电池承担函数 + − − + VM VSS VDD DP CO 做 Overcharge 发现比较器 overcurrent 2 发现比较器 − + − + 输出控制电路 0 v 电池承担电路 Overdischarge 发现比较器加载短的-circuiting 发现比较器分隔物控制逻辑振荡器控制电路 R VMD R VMS Charger 发现电路 overcurrent 1 发现比较器 − + Remark 所有这二极管显示在 the 图示是 parasitic 二极管. 图示 1 2. 产品和 0 v 电池承担 inhibition 函数 + − − + VM VSS VDD DP CO 做 Overcharge 发现比较器 overcurrent 2 发现比较器 − + − + 输出控制电路 0 v 电池承担 inhibition 电路 Overdischarge 发现比较器加载短的-circuiting 发现比较器分隔物控制逻辑振荡器控制电路 R VMD R VMS Charger 发现电路 overcurrent 1 发现比较器 − + Remark 所有这二极管显示在 the 图示是 parasitic 二极管. 图示 2

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