S-8261ABJMD-G3J-T2_集成电路资料查询网

电池 保护 ic 为 单独的-cell 包装
rev.1.9
_00
s-8261 序列
seiko 器械 公司
7

管脚 配置
表格 2
管脚 非. 标识 管脚 描述
1 做
场效应晶体管 门 控制 管脚 为 释放
(cmos 输出)
2 vm
电压 发现 管脚 在 vm 和 vss
(overcurrent 发现 管脚)
3 co
场效应晶体管 门 控制 管脚 为 承担
(cmos 输出)
4 DP 测试 管脚 为 延迟 时间 度量
5 VDD 积极的 电源 输入 管脚
6 VSS 负的 电源 输入 管脚 
 sot-23-6
顶 视图
6
4 5
1 2 3
图示 3
表格 3
管脚 非. 标识 管脚 描述
1 co
场效应晶体管 门 控制 管脚 为 承担
(cmos 输出)
2 vm
电压 发现 管脚 在 vm 和 vss
(overcurrent 发现 管脚)
3 做
场效应晶体管 门 控制 管脚 为 释放
(cmos 输出)
4 VSS 负的 电源 输入 管脚 
5 DP 测试 管脚 为 延迟 时间 度量
6 VDD 积极的 电源 输入 管脚
6-管脚 snb(b)
顶 视图
6
5
4
1
2
3
4
5
6
3
2
1
bottom 视图
*1
*1.
连接 这 散热器 的 后面的
一侧 在 shadowed 范围 至 这
板, 和 设置 electric
潜在的 打开 或者 vdd. 
不管怎样, 做 不 使用 它
作
这 函数 的 electrode.
图示 4

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电池保护 ic 为单独的-cell 包装 rev.1.9 _00 s-8261 序列 seiko 器械公司 7  管脚配置表格 2 管脚非. 标识管脚描述 1 做场效应晶体管门控制管脚为释放 (cmos 输出) 2 vm 电压发现管脚在 vm 和 vss (overcurrent 发现管脚) 3 co 场效应晶体管门控制管脚为承担 (cmos 输出) 4 DP 测试管脚为延迟时间度量 5 VDD 积极的电源输入管脚 6 VSS 负的电源输入管脚 sot-23-6 顶视图 6 4 5 1 2 3 图示 3 表格 3 管脚非. 标识管脚描述 1 co 场效应晶体管门控制管脚为承担 (cmos 输出) 2 vm 电压发现管脚在 vm 和 vss (overcurrent 发现管脚) 3 做场效应晶体管门控制管脚为释放 (cmos 输出) 4 VSS 负的电源输入管脚 5 DP 测试管脚为延迟时间度量 6 VDD 积极的电源输入管脚 6-管脚 snb(b) 顶视图 6 5 4 1 2 3 4 5 6 3 2 1 bottom 视图 1 1. 连接这散热器的后面的一侧在 shadowed 范围至这板, 和设置 electric 潜在的打开或者 vdd. 不管怎样, 做不使用它作这函数的 electrode. 图示 4

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