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相似物 微电子学, 公司
8
300ma cmos ldo
ame8801/8812/8840
0
50
100
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200
250
300
2.5 2.75 3 3.25 3.5 3.75 4
漏出 输出 电压 vs 输出 电压
输出 电压 (v)
漏出 输出 电压 (mv)
I
加载
=300mA
I
加载
=200mA
I
加载
=100mA
0
50
100
150
200
250
0 50 100 150 200 250 300
漏出 输出 电压 vs 加载 电流
加载 电流 (毫安)
落后 电压 (mv)
顶 至 bottom
V
输出
=2.5v
V
输出
=2.8v
V
输出
=3.0v
V
输出
=3.3v
V
输出
=3.5v
V
输出
=3.8v
碎片 使能 瞬时 回馈
输出 (1v/div)        使能 (2v/div)
时间 ( 1ms/div)
C
L
=2
µ
F
R
L
=10
Ω
C
BYP
=1000pF
0
0
0
0
碎片 使能 瞬时 回馈
时间 ( 1ms/div)
C
L
=2
µ
F
R
L
=10
Ω
输出 (1v/div)        使能 (2v/div)
0
5
10
15
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30
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012345678
地面 电流 vs. 输入 电压
地面 电流 (
µ
µµ
µ
一个)
输入 电压 (v)
85
O
C
25
O
C
加载 步伐 ( 1ma-300ma)
I
L
(200ma/div)          vo(5mv/div)
时间( 20ms/div)
C
L
=2.2
µ
F
C
在
=2.2
µ
F
输出
I
加载
0

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相似物微电子学, 公司 8 300ma cmos ldo ame8801/8812/8840 0 50 100 150 200 250 300 2.5 2.75 3 3.25 3.5 3.75 4 漏出输出电压 vs 输出电压输出电压 (v) 漏出输出电压 (mv) I 加载 =300mA I 加载 =200mA I 加载 =100mA 0 50 100 150 200 250 0 50 100 150 200 250 300 漏出输出电压 vs 加载电流加载电流 (毫安) 落后电压 (mv) 顶至 bottom V 输出 =2.5v V 输出 =2.8v V 输出 =3.0v V 输出 =3.3v V 输出 =3.5v V 输出 =3.8v 碎片使能瞬时回馈输出 (1v/div) 使能 (2v/div) 时间 ( 1ms/div) C L =2 µ F R L =10 Ω C BYP =1000pF 0 0 0 0 碎片使能瞬时回馈时间 ( 1ms/div) C L =2 µ F R L =10 Ω 输出 (1v/div) 使能 (2v/div) 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 012345678 地面电流 vs. 输入电压地面电流 ( µ µµ µ 一个) 输入电压 (v) 85 O C 25 O C 加载步伐 ( 1ma-300ma) I L (200ma/div) vo(5mv/div) 时间( 20ms/div) C L =2.2 µ F C 在 =2.2 µ F 输出 I 加载 0

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