相似物 微电子学, 公司
9
ame8801/8812/8840
300ma cmos ldo
overtemperature 关闭
V
输出
(1v/div) i
输出
(200ma/div)
时间 (0.5sec/div)
R
加载
=6.6
Ω
0
0
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
1.0e+01 1.0e+02 1.0e+03 1.0e+04 1.0e+05 1.0e+06
psrr ( db)
电源 供应 拒绝 比率
频率 (hz)
C
L
= 10
µ
F
Tantalum
I
L
= 100 毫安
C
BYP
= 0
C
BYP
= 100 pf
C
BYP
= 1 nf
C
BYP
= 10 nf
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
1.0e+01 1.0e+02 1.0e+03 1.0e+04 1.0e+05
psrr ( db)
电源 供应 拒绝 比率
频率 (hz)
C
L
= 5.6
µ
F
陶瓷的
I
L
= 100 毫安
C
BYP
= 0
C
BYP
= 100 pf
C
BYP
= 1 nf
C
BYP
= 10 nf
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
1.0e+01 1.0e+03 1.0e+05 1.0e+07
电源 供应 拒绝 比率
psrr (db)
频率 (hz)
C
L
=2.2
µ
f tantalum
C
BYP
=1000pF
100mA
100
µ
一个
1mA
10mA
100mA
100
µ
一个
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1.0e+01 1.0e+03 1.0e+05 1.0e+07
电源 供应 拒绝 比率
psrr (db)
频率 (hz)
100mA
10mA
1mA
100
µ
一个
100mA
100
µ
一个
C
L
=2.2
µ
f tantalum
C
BYP
=0
短的 电路 回馈
时间 (2ms/div)
V
输出
(1v/div) i
加载
(400ma/div)
R
加载
=100
Ω
R
短的
=0.1
Ω
0
0