dg201b/202b
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
4-8
文档 号码: 70037
s-52433—rev. g, 06-sep-99
图示 6.
样本-和-支撑
LM101A
+15 v
–15 v
30 pf
+15 v
–15 v
V+
V–
DG201B
50 pf
1000 pf
J202
J500
J507
+15 v
2N4400
–15 v
V
在
V
输出
1 k
200
5 m
5.1 m
aquisition 时间 = 25
s
aperature 时间 = 1
s
样本 至 支撑 补偿 = 5 mv
droop 比率 = 5 mv/s
逻辑 输入
低 = 样本
高 = 支撑
–
+
f
C1
f
C2
f
C3
TTL
控制
150 pf
1500 pf
+15 v
DG201B
地
30 pf
LM101A
+15 v
–15 v
1 10 100 1 k 10 k 100 k 1 m
–40
0
160
120
80
电压 增益 – db
f
C4
选择
f
C3
选择
f
C2
选择
f
C1
选择
R
1
= 10 k
R
2
= 10 k
R
3
= 1 m
V
输出
V
1
V–
C
4
C
3
C
2
C
1
f
L1
f
C4
f
L2
f
L3
f
L4
一个
L
(电压 增益 在下 破裂 频率) = = 100 (40 db)
R
3
R
1
f
C
(破裂 频率) =
1
2
R
3
C
X
1
2
R
1
C
X
f
L
(统一体 增益 频率) =
最大值 attenuation =
r
ds(在)
10 k
–47 db
0.015
F
0.15
F
图示 7.
起作用的 低 通过 过滤 和 digitally 选择 破裂 频率
–15 v
–
+
40
f – 频率 (hz)
: 点此下载
