在
1
在
2
D
1
D
2
S
1
S
2
V– V+
地 NC
S
4
S
3
D
4
D
3
在
4
在
3
1
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3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
顶 视图
DG201B
双-在-线条, soic 和 tssop
dg201b/202b
vishay siliconix
文档 号码: 70037
s-52433—rev. g, 06-sep-99
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
4-1
改进 四方形 cmos 相似物 switches
22-v 供应 电压 比率
ttl 和 cmos 兼容 逻辑
低 在-resistance—r
ds(在)
: 45
低 leakage—i
d(在)
: 20 pa
单独的 供应 运作 可能
扩展 温度 范围
快 switching—t
在
: 120 ns
低 glitching—q: 1 pc
宽 相似物 信号 范围
简单的 逻辑 接口
高等级的 精度
最小 过往旅客
减少 电源 消耗量
更好的 至 dg201a/202
空间 savings (tssop)
工业的 仪器
测试 设备
communications 系统
disk 驱动
计算机 peripherals
可携带的 器械
样本-和-支撑 电路
这 dg201b/202b 相似物 switches 是 高级地 改进
版本 的 这 工业-标准 dg201a/202. 这些
设备 是 fabricated 在 vishay siliconix’ 专卖的 硅
门 cmos 处理, 结果 在 更小的 在-阻抗, 更小的
泄漏, 高等级的 速, 和 更小的 电源 消耗量.
这些 四方形 单独的-柱子 单独的-throw switches 是 设计
为 一个 宽 多样性 的 产品 在 telecommunications,
仪器, 处理 控制, 计算机 peripherals, 等
一个 改进 承担 injection 补偿 设计 降低
切换 过往旅客. 这 dg201b 和 dg202b 能 handle
向上 至
22-v 输入 信号, 和 有 一个 改进 持续的
电流 比率 的 30 毫安. 一个 外延的 layer 阻止 latchup.
所有 设备 特性 真实 bi-directional 效能 在 这 在
情况, 和 将 块 信号 至 这 供应 电压 在 这
止 情况.
这 dg201b 是 一个 正常情况下 关闭 转变 和 这 dg202b 是
一个 正常情况下 打开 转变. (看 真实 表格.)
逻辑 DG201B DG202B
0 在 止
1 止 在
逻辑 “0”
0.8 v
逻辑 “1”
2.4 v
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