dg300b/301b/302b/303b
vishay siliconix
文档 号码: 71402
s-02968
—
rev. 一个, 22-jan-01
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5
r
ds(在)
vs. v
D
和 电源 供应
承担 injection vs. 相似物 电压
切换 时间 和 破裂-在之前-制造 时间
vs. 积极的 供应 电压
r
ds(在)
vs. v
D
和 温度
r
ds(在)
vs. v
D
和 电源 供应 电压
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 ( )
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 ( )
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 ( )
q (pc)
(ns)t
在
,t
止
V
D
–
流 电压 (v)
V
D
–
流 电压 (v)
V
D
–
流 电压 (v)
V
S
–
源 电压 (v)
V+
–
积极的 供应 (v)
90
–
25
–
15
–
5 5 15 25
70
50
30
10
5 v
T
一个
= 25
C
60
–
15
–
10
–
50 51015
50
40
30
20
10
v+ = 15 v
V
–
=
–
15 v
0 5 10 15 20
20
V
–
= 0 v
T
一个
= 25
C
50
–
15
–
10
–
5051015
40
30
20
10
0
v+ = 15 v
V
–
=
–
15 v
C
L
= 1 nf
500
0 5 10 15
400
300
200
100
0
dg301b/303b 仅有的
t
打开
t
止
t
在
V
–
=
–
15 v
T
一个
= 25
C
V
INH
= 4 v
V
INL
= 0 v
T
一个
= 125
C
T
一个
= 25
C
T
一个
=
–
55
C
8 v
10 v
12 v
15 v
20 v
40
60
80
100
7.5 v
10 v
15 v
20 v
输入 切换 门槛
vs. 积极的 供应 电压
V+
–
积极的 供应 (v)
(v)
T
V
0
5
4
3
2
1
51015
V
–
=
–
15 v
T
一个
= 25
C
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