dg300b/301b/302b/303b
vishay siliconix
文档 号码: 71402
s-02968
—
rev. 一个, 22-jan-01
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7
图示 2.
切换 时间
V
S
= 3 v
R
L
R
L
+ r
ds(在)
V
O
= v
S
C
L
(包含 fixture 和 偏离 电容)
V
–
V+
在
S
C
L
33 pf
D
5 v
R
L
300
V
O
–
15 v
地
+15 v
50%
90%
0 v
0 v
10%
逻辑
输入
转变
输出
V
S
t
在
t
止
逻辑
“
1
”
= 转变 在
图示 3.
破裂-在之前-制造 spdt (dg301b, dg303b)
0 v
50%
50%
50%
0 v
0 v
逻辑
输入
转变
输出
转变
输出
逻辑
“
1
”
= 转变 在
V
INH
V
S1
V
S2
V
O1
V
O2
t
BBM
V
O1
S
2
S
1
D
2
R
L2
300
C
L2
33 pf
V+
V
O2
V
S2
= 3 v
在
V
S1
= 3 v
R
L1
300
C
L1
33 pf
C
L
(包含 fixture 和 偏离 电容)
V
–
D
1
–
15 v
地
+15 v
图示 4.
承担 injection
在 止 在
在
X
V
O
V
O
C
L
1 nf
3 v
V
–
–
15 v
V
O
地
V+
R
g
S
V
g
D
在
+15 v