dg641/642/643
vishay siliconix
文档 号码: 70058
s-52433—rev. e, 06-sep-99
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4-3
测试 情况
除非 否则 指定
限制
–40 至 85
C
参数 标识
v+ = 15 v, v– = –3 v
V
INH
= 2.4 v, v
INL
= 0.8 v
e
温度
一个
最小值
b
Typ
c
最大值
b
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
dd
V
相似物
v– = –5 v, v+ = 12 v 全部 –5 8
vanalog 信号 范围
dd
V
相似物
v– = 地, v+ = 12 v 全部 0 8
V
流-源 在-阻抗 r
ds(在)
I
S
= –10 毫安, v
D
= 0 v
房间
全部
8 15
20
r
ds(在)
相一致
r
ds(在)
S
,
D
房间 1 2
源 止 泄漏 电流 I
s(止)
V
S
= 0 v, v
D
= 10 v
房间
全部
–10
–100
–0.02 10
100
一个流 止 泄漏 电流 I
d(止)
V
S
= 10 v, v
D
= 0v
房间
全部
–10
–100
–0.02 10
100
nA
频道 在 泄漏 电流 I
d(在)
V
S
= v
D
= 0 v
房间
全部
–10
–100
–0.1 10
100
数字的 控制
输入 电压 高 V
INH
全部 2.4
V
输入 电压 低 V
INL
全部 0.8
V
输入 电流 I
在
V
在
= 地 或者 v+
房间
全部
–1
–20
0.05 1
20
一个
动态 特性
在 状态 输入 电容
d
C
s(在)
V
S
= v
D
= 0 v 房间 10 20
F止 状态 输入 电容
d
C
s(止)
V
S
= 0 v 房间 4 12 pF
止 状态 输出 电容
d
C
d(止)
V
D
= 0 v 房间 4 12
带宽 BW R
L
= 50
, 看 图示 6 房间 500 MHz
转变 在 时间 t
在
R
L
=1 k
, c
L
=35 pf, 看 图示 2
房间
全部
50 70
140
ns
转变 止 时间 t
止
R
L
= 1 k
, c
L
= 35 pf, 看 图示 2
房间
全部
28 50
85
ns
承担 injection Q C
L
= 1000 pf, v
D
= 0 v, 看 图示 3 房间 –19 pC
止 分开 OIRR
R
在
= 75
, r
L
= 75
f = 5 mhz
看 图示 4
房间 –60
dB
所有 不利的 串扰 X
表达(ah)
R
在
= 10
, r
L
= 75
, f = 5 mhz
看 图示 5
房间 –87
dB
电源 供应
积极的 供应 电流 I+
V
在
=0 v 或者 v
在
= 5 v
房间
全部
3.5 6
9
毫安
负的 供应 电流 I–
V
在
= 0 v 或者 v
在
= 5 v
房间
全部
–6
–9
–3
毫安
注释:
一个. 房间 = 25
c, 全部 = 作 决定 用 这 运行 温度 后缀.
b. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
c. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大, 是 使用 在 这个 数据 薄板.
d. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
e. V
在
= 输入 电压 至 执行 恰当的 函数.
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