DG642DJ_集成电路资料查询网

dg641/642/643
vishay siliconix
文档 号码:  70058
s-52433—rev. e, 06-sep-99
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 
图示  2.
切换 时间
图示  3.
承担 injection
3 v
0
90% 90%
50%
t
止
t
在
t
r
<20 ns
t
f
<20 ns
逻辑
输入
转变
输出
在
在
止
V
O

V
O
在
X

V
O
= 量过的 电压 错误 预定的 至 承担 injection
这 承担 injection 在 coulombs 是 q = c
L
x

V
O
图示  4.
止 分开
3 v
V–
V+
在
S
C
L
35 pf
D
3 v
R
L
1 k

V
O
–3 v
地
+15 v
C
L
1000 pf
3 v
V
g
V
O
D
V+
R
g
S
在
V–
–3 v
地
+15 v
S
在
R
L
D
R
g
= 50

V
S
V
O
0v, 2.4 v
止 分开 = 20 log
V
S
V
O
V+
–3 v
地 V–
C
C
+15 v

标　题:
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dg641/642/643 vishay siliconix 文档号码: 70058 s-52433—rev. e, 06-sep-99 www.vishay.com  faxback 408-970-5600 4-7   图示 2. 切换时间图示 3. 承担 injection 3 v 0 90% 90% 50% t 止 t 在 t r <20 ns t f <20 ns 逻辑输入转变输出在在止 V O  V O 在 X  V O = 量过的电压错误预定的至承担 injection 这承担 injection 在 coulombs 是 q = c L x  V O 图示 4. 止分开 3 v V– V+ 在 S C L 35 pf D 3 v R L 1 k  V O –3 v 地 +15 v C L 1000 pf 3 v V g V O D V+ R g S 在 V– –3 v 地 +15 v S 在 R L D R g = 50  V S V O 0v, 2.4 v 止分开 = 20 log V S V O V+ –3 v 地 V– C C +15 v

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