MC74HC541A
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直流 特性
(电压 关联 至 地)
有保证的 限制
V
CC
V
标识 单位
≤
125
°
C
≤
85
°
C–55 至 25
°
C
V
CC
V
ConditionParameter
I
OZ
最大 three–state 泄漏
电流
输出 在 高 阻抗 状态
V
在
= v
IL
或者 v
IH
V
输出
= v
CC
或者 地
6.0
±
0.5
±
5.0
±
10.0
µ
一个
I
CC
最大 安静的 供应
电流 (每 包装)
V
在
= v
CC
或者 地
I
输出
= 0
µ
一个
6.0 4 40 160
µ
一个
便条: 信息 在 典型 参数 值 能 是 建立 在 chapter 2 的 这 在 半导体 high–speed cmos 数据 书
(dl129/d).
交流 特性
(c
L
= 50 pf, 输入 t
r
= t
f
= 6 ns)
V
CC
有保证的 限制
标识 参数
V
CC
V
–55 至 25
°
C
≤
85
°
C
≤
125
°
C 单位
t
PLH
,
t
PHL
最大 传播 延迟, 输入 一个 至 输出 y
(计算数量 1 和 3)
2.0
3.0
4.5
6.0
80
30
18
15
100
40
23
20
120
55
28
25
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大 传播 延迟, 输出 使能 至 输出 y
(计算数量 2 和 4)
2.0
3.0
4.5
6.0
110
45
25
21
140
60
31
26
165
75
38
31
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大 传播 延迟, 输出 使能 至 输出 y
(计算数量 2 和 4)
2.0
3.0
4.5
6.0
110
45
25
21
140
60
31
26
165
75
38
31
ns
t
TLH
,
t
THL
最大 输出 转变 时间, 任何 输出
(计算数量 1 和 3)
2.0
3.0
4.5
6.0
60
22
12
10
75
28
15
13
90
34
18
15
ns
C
在
最大 输入 电容 10 10 10 pF
C
输出
最大 three–state 输出 电容 (输出 在 高
阻抗 状态)
15 15 15 pF
便条: 为 传播 延迟 和 负载 其它 比 50 pf, 和 信息 在 典型 参数 值, 看 chapter 2 的 这 在
半导体 high–speed cmos 数据 书 (dl129/d).
典型 @ 25
°
c, v
CC
= 5.0 v, v
EE
= 0 v
C
PD
电源 消耗 电容 (每 缓存区)*
35
pF
* 使用 至 决定 这 no–load 动态 电源 消耗量: p
D
= c
PD
V
CC
2
f + i
CC
V
CC
. 为 加载 仔细考虑, 看 chapter 2 的 这
在 半导体 high–speed cmos 数据 书 (dl129/d).
图示 1.
V
CC
地
输入 一个
输出 y
t
PLH
oe1 或者 oe2
50%
V
CC
地
输出 y
t
PZL
输出 y
t
PZH
高
阻抗
V
OL
V
OH
高
阻抗
10%
90%
t
PLZ
t
PHZ
50%
50%
t
PHL
90%
50%
10%
t
r
t
TLH
t
f
t
THL
图示 2.
切换 波形
90%
50%
10%
50%
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