K4S511632D cmos sdram
rev. 0.0 july. 2002
simplified 真实 表格
(v=有效的, x=don't 小心, h=逻辑 高, l=逻辑 low)
Command cken-1 CKEn CS RAS CAS 我们 DQM BA
0,1
一个 10/ap
一个11,一个 12,
一个 9~ 一个 0
便条
寄存器 模式 寄存器 设置 H X L L L L X 运算 代号 1,2
Refresh
自动 refresh
H
H
L L L H X X
3
自
refresh
Entry L 3
Exit L H
L H H H
X X
3
H X X X 3
bank 起作用的 &放大; 行 地址. H X L L H H X V 行 地址
读 &放大;
column 地址
自动 precharge 使不能运转
H X L H L H X V
L
Column
地址
(一个0~ 一个9 )
4
自动 precharge 使能 H 4,5
写 &放大;
column 地址
自动 precharge 使不能运转
H X L H L L X V
L
Column
地址
(一个0~ 一个9 )
4
自动 precharge 使能 H 4,5
burst 停止 H X L H H L X X 6
Precharge
bank 选择
H X L L H L X
V L
X
所有 banks X H
时钟 suspend 或者
起作用的 电源 向下
Entry H L
H X X X
X
X
L V V V
Exit L H X X X X X
precharge 电源 向下 模式
Entry H L
H X X X
X
X
L H H H
Exit L H
H X X X
X
L V V V
DQM H V X 7
非 运作 command H X
H X X X
X X
L H H H
1. 运算 代号 : operand 代号
一个0~ 一个12&放大; ba0~ ba 1: 程序 keys. (@ mrs)
2. mrs 能 是 issued 仅有的 在 所有 banks precharge 状态.
一个 新 command 能 是 issued 之后 2 clk 循环 的 mrs.
3. 自动 refresh 功能 是 作 一样 作 cbr refresh 的 dram.
这 automatical precharge 没有 行 precharge command 是 meant 用 "自动".
自动/自 refresh 能 是 issued 仅有的 在 所有 banks precharge 状态.
4. ba0~ ba1: bank 选择 地址.
如果 两个都 ba0和 ba1是 "低" 在 读, 写, 行 起作用的 和 precharge, bank 一个 是 selected.
如果 ba0是 "高" 和 ba1是 "低" 在 读, 写, 行 起作用的 和 precharge, bank b 是 selected.
如果 ba0是 "低" 和 ba1是 "高" 在 读, 写, 行 起作用的 和 precharge, bank c 是 selected.
如果 两个都 ba0和 ba1是 "高" 在 读, 写, 行 起作用的 和 precharge, bank d 是 selected.
如果 一个10/ap 是 "高" 在 行 precharge, ba0和 ba1是 ignored 和 所有 banks 是 选择.
5. 在 burst 读 或者 写 和 自动 precharge, 新 读/写 command 能 不 是 issued.
另一 bank 读/写 command 能 是 issued 之后 这 终止 的 burst.
新 行 起作用的 的 这 有关联的 bank 能 是 issued 在 tRP之后 这 终止 的 burst.
6. burst 停止 command 是 有效的 在 每 burst 长度.
7. dqm 抽样 在 积极的 going 边缘 的 一个 clk 和 masks 这 数据-在 在 这 非常 clk (写 dqm latency 是 0),
但是 制造 hi-z 状态 这 数据-输出 的 2 clk 循环 之后. (读 dqm latency 是 2)
注释 :
X
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