K4S511632D cmos sdram
rev. 0.0 july. 2002
直流 特性
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 标识 测试 情况
版本
单位 便条
-7c -75 -1h -1l
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
ICC1
burst 长度 = 1
tRC
≥
tRC(最小值)
IO= 0 毫安
200 180 180 180 毫安 1
precharge 备用物品 电流 在
电源-向下 模式
ICC2P
CKE
≤
V IL(最大值), tCC= 10ns
4
毫安
ICC2PS
cke &放大; clk
≤
V IL(最大值), tCC=
∞
4
precharge 备用物品 电流 在
非 电源-向下 模式
ICC2N
CKE
≥
V IH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 10ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 20ns
40
毫安
ICC2NS
CKE
≥
V IH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
20
起作用的 备用物品 电流
在 电源-向下 模式
ICC3P
CKE
≤
V IL(最大值), tCC= 10ns
12
毫安
ICC3PS cke &放大; clk
≤
V IL(最大值), tCC=
∞
12
起作用的 备用物品 电流 在
非 电源-向下 模式
(一个 bank 起作用的)
ICC3N
CKE
≥
V IH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 10ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 20ns
60 毫安
ICC3NS
CKE
≥
V IH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
50 毫安
运行 电流
(burst 模式)
ICC4
IO= 0 毫安
页 burst
4banks 使活动.
tCCD= 2clks
220 220 240 240 毫安 1
refresh 电流 ICC5 tRC
≥
tRC(最小值) 440 400 380 380 毫安 2
自 refresh 电流 ICC6
CKE
≤
0.2v
C 6 毫安 3
L 3 毫安 4
1. 量过的 和 输出 打开.
2. refresh 时期 是 64ms.
3. k4s511632d-kc**
4. k4s511632d-kl**
5. 除非 否则 noticed, 输入 摆动 水平的 是 cmos(v IH/vIL=VDDQ/vSSQ).
注释 :
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