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DS21T07
3 的 7
典型 scsi 总线 配置
图示 2
注释:
1.
c1 = 4.7
µ
f tantalum
c2 = 2.2
µ
f tantalum 或者 4.7
µ
f 铝
2.
如果 这 ds21t07 是 至 是 embedded 在 一个 附带的 那 将 act 作 一个 目标 在 一个 scsi 总线, 它 是 那
推荐 termpwr 是 获得 从 这 scsi 缆索, 不 发生 locally. 在 这个
配置, 如果 一个 电源 失败 occurs 在 这 附带的, 它 将 不 影响 这 总线.
3.
一个 高 频率 绕过 电容 (0.1
µ
f 推荐) 能 是 增加 在 并行的 至 c1 为
产品 使用 快 上升/下降 时间 驱动器.
DS21T07 DS21T07

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DS21T07 3 的 7 典型 scsi 总线配置图示 2 注释: 1. c1 = 4.7 µ f tantalum c2 = 2.2 µ f tantalum 或者 4.7 µ f 铝 2. 如果这 ds21t07 是至是 embedded 在一个附带的那将 act 作一个目标在一个 scsi 总线, 它是那推荐 termpwr 是获得从这 scsi 缆索, 不发生 locally. 在这个配置, 如果一个电源失败 occurs 在这附带的, 它将不影响这总线. 3. 一个高频率绕过电容 (0.1 µ f 推荐) 能是增加在并行的至 c1 为产品使用快上升/下降时间驱动器. DS21T07 DS21T07

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