DS21T07
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绝对 最大 ratings*
电压 在 任何 管脚 相关的 至 地面 -1.0v 至 +7.0v
运行 温度 0
°
c 至 70
°
C
存储 温度 -55
°
c 至 +125
°
C
焊接 温度 260
°
c 为 10 秒
*
这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 表明 在 这 运作 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至
绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 的 时间 将 影响 可靠性.
这 达拉斯市 半导体 ds21t07 是 建造 至 这 最高的 质量 standards 和 制造的 为 长-
期 可靠性. 所有 达拉斯市 半导体 设备 是 制造 使用 这 一样 质量 材料 和
制造 方法. 不管怎样, 这 ds21t07 是 不 exposed 至 自然环境的 压力, 此类 作 烧-
在, 那 一些 工业的 产品 需要. 为 明确的 可靠性 信息 在 这个 产品, 请
联系 这 工厂 在 达拉斯市 在 (972) 371-4448.
推荐 运行 情况
(0°c 至 70°c)
参数 SYM 最小值 典型值 最大值 单位 注释
termpwr 电压 V
TP
4.00 5.50 V
PD
起作用的
V
PDA
-0.3 +0.8 V
PD
Inactive
V
PDI
2.0 V
TP
+ 0.3 V
直流 特性
(0°c 至 70°c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
termpwr 电流 I
TP
I
TP
5
250
8
毫安
毫安
1, 3
1, 4
电源-向下 电流 I
PD
100 150 µA 1, 2, 5
末端 阻抗 R
期
108 110 112 ohms 1, 2
消逝 热的 关闭 T
SD
150 150 °C 1, 6
电源-向下
末端 电容
C
PD
3.0 pF 1, 2, 5, 6
输入 泄漏 高 I
IH
-1.0 µA 1, 8
输入 泄漏 低 I
IL
1.0 µA 1, 7
调整器 特性
(0°c 至 70°c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
输出 电压 V
REF
2.79 2.85 2.93 V 1, 2
漏出 输出 电压 V
漏出
0.50 0.75 V 3, 6
输出 电流 I
输出
25.2 毫安 9
线条 规章制度 LI
REG
1.0 2.0 % 1, 4
加载 规章制度 LO
REG
1.3 3.0 % 1, 3
电流 限制 I
LIM
350 毫安 1
下沉 电流 I
下沉
200 毫安 1
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