绝对 最大 比率
(注释 1, 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) 6.0v
使能 输入 电压 (de) −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
电流 选择 电压
(isel) −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
接受者 选择 电压
(rsel) −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
总线 管脚 电压 (做/ri
±
) −0.3v 至 +3.9v
驱动器 短的 电路 电流 持续的
静电释放 (hbm 1.5 k
Ω
, 100 pf)
>
2kV
最大 包装 电源 消耗 在 25˚C
SOIC 970 mW
减额 SOIC 包装
在之上 25˚C 8mw/˚c
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 4 秒.) 260˚C
推荐 运行
情况
最小值 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 3.0 3.6 V
接受者 输入 电压 0.0 2.9 V
运行 自由 空气 温度 −40 +85 ˚C
直流 电的 特性
T
一个
= −40˚C 至 +85˚C 除非 否则 指出, V
CC
= 3.3v
±
0.3v (注释 2, 3)
标识 参数 情况 管脚 最小值 典型值 最大值 单位
差别的 驱动器 特性
V
OD
输出 差别的
电压
R
L
=27
Ω
图示 1
Isel = 0V
do+,
DO−
170 220 280 mV
∆
V
OD
VOD 巨大
改变
210mV
V
OS
补偿 电压 1.0 1.25 1.6 V
∆
V
OS
补偿 巨大
改变
10 20 mV
V
OD
输出 差别的
电压
R
L
= 100
Ω
图示 1
Isel = 3.3v
250 360 480 mV
∆
V
OD
VOD 巨大
改变
210mV
V
OS
补偿 电压 0.9 1.25 1.6 V
∆
V
OS
补偿 巨大
改变
10 20 mV
I
OZD
触发-状态
®
泄漏 V
O
=V
CC
或者 地,
DE=0
±
1
±
10 µA
I
OXD
电源-止 泄漏 V
O
= 2.9v 或者 地,
V
CC
=0V
±
1
±
10 µA
I
OSD
输出 短的 电路
电流
ISEL = V
CC
V
O
=0V
−11 −13 毫安
差别的 接受者 特性
V
TH
输入 门槛 高 ri+, RI− +100 mV
V
TL
输入 门槛 低 −100 mV
I
在
输入 电流 V
在
= +2.9v, 或者 0v, V
CC
=3.6vor0v
−10
±
1 +10 µA
设备 特性
V
IH
最小 输入 高
电压
de0,
de1,
rsel,
isel0,
ISEL1
2.0 V
CC
V
V
IL
最大 输入 低
电压
地 0.8 V
I
IH
输入 高 电流 V
在
=V
CC
或者 2.4v
±
1
±
10 µA
I
IL
输入 低 电流 V
在
= 地 或者 0.4v
±
1
±
10 µA
V
CL
输入 二极管 Clamp
电压
I
CLAMP
= −18 毫安 −1.5 −0.8 V
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