绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
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分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.3v 至 +4V
lvcmos/lvttl 输入
电压 −0.3v 至 (v
CC
+0.3v)
lvcmos/lvttl 输出
电压 −0.3v 至 (v
CC
+0.3v)
总线 LVDS 接受者 输入
电压 −0.3v 至 +3.9v
总线 LVDS 驱动器 输出
电压 −0.3v 至 +3.9v
总线 LVDS 输出 短的
电路 持续时间 10ms
接合面 温度 +150˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 4 秒) +260˚C
最大 包装 电源 消耗 Capacity
包装 减额:
80L PQFP
23.2 mw/˚c 在之上
+25˚C
θ
JA
43˚c/w
θ
JC
11.1˚c/w
静电释放 比率 (hbm)
>
2.5kv
推荐 运行
情况
最小值 Nom 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 3.15 3.3 3.45 V
运行 自由 空气
温度 (t
一个
)
−40 +25 +85 ˚C
时钟 比率 25 80 MHz
电的 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 管脚/freq. 最小值 典型值 最大值 单位
lvcmos/lvttl 直流 规格
V
IH
高 水平的 输入 电压 2.0 V
CC
V
V
IL
低 水平的 输入 电压
tclk_r/f,den,
tclk, tpwdn, din,
地 0.8 V
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= −18 毫安
同步, rclk_r/f,
ren, refclk,
PWRDN
-0.7 −1.5 V
I
在
输入 电流 V
在
= 0V 或者 3.6v −10
±
2 +10 µA
V
OH
高 水平的 输出 电压 I
OH
= −9 毫安 2.3 3.0 V
CC
V
V
OL
低 水平的 输出 电压 I
OL
=9mA R
输出
, rclk, 锁 地 0.33 0.5 V
I
OS
输出 短的 电路 电流 VOUT = 0V −15 −48 −85 毫安
I
OZ
触发-状态 输出 电流
PWRDN 或者 REN =
0.8v, V
输出
=0Vor
VCC
R
输出
, rclk, −10
±
0.4 +10 µA
总线 LVDS 直流 规格
VTH
差别的 门槛 高
电压
VCM = +1.1v +100 mV
VTL
差别的 门槛 低
电压
ri+, ri- −100 mV
I
在
输入 电流
V
在
= +2.4v, V
CC
=
3.6v 或者 0V
−10
±
5 +10 µA
V
在
= 0v, V
CC
= 3.6v
或者 0V
−10
±
5 +10 µA
DS92LV16
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