Si4944DY
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 72512
s-32131—rev. 一个, 27-oct-03
场效应晶体管 规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1 3 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C 5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
30 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10
v,I
D
= 12.2 一个
0.0075 0.0095
Dra在-源 在-状态Resistance
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 9.4 一个 0.013 0.016
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 12.2 一个 32 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.9 一个, v
GS
= 0 v 0.8 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
13.5 21
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 12.2 一个 7.1 nC
门-流 承担 Q
gd
4.7
门 阻抗 R
g
f = 1 mhz 0.5 1.0 1.7
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
10 15
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
10 15
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
40 60
ns
下降 时间 t
f
12 20
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.9 一个, di/dt = 100 一个/
s 45 70
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计,不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
6
12
18
24
30
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
0
6
12
18
24
30
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
V
GS
= 10 thru 5 v
T
C
= 125
C
−
55
C
3 v
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
4 v