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资料编号:274313
 
资料名称:Si4944DY-T1
 
文件大小: 69.61K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4944DY
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
4
文档 号码: 72512
s-32131—rev. 一个, 27-oct-03
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
50
20
40
电源 (w)
单独的脉冲波 电源
时间 (秒)
10
3
10
2
1 10 60010
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 75
c/w
3. t
JM
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
1 600100.10.01 100
Safe运行 范围
V
DS
流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
流 电流 (一个)I
D
p(t) = 10
直流
0.1
I
d(在)
限制
r
ds(在)
限制
BV
DSS
限制
p(t) = 1
p(t) = 0.1
p(t) = 0.01
p(t) = 0.001
10
30
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
门槛 voltage
variance (v)V
gs(th)
T
J
温度 (
c)
I
DM
限制
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