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资料编号:274316
 
资料名称:SI4816DY-T1
 
文件大小: 91.82K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4816DY
Vishay Siliconix
文档 号码: 71121
s-41697—rev. e, 20-sep-04
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
_
C 除非 指出) 频道-1
0.000
0.006
0.012
0.018
0.024
0.030
0 8 16 24 32 40
在-阻抗 vs. 电流
-- 在-阻抗 (
r
ds(在)
)
I
D
-- 电流 (一个)
V
GS
=4.5v
V
GS
=10V
0
6
12
18
24
30
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0
200
400
600
800
1000
0 6 12 18 24 30
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
--50 --25 0 25 50 75 100 125 150
0
6
12
18
24
30
0246810
0
2
4
6
8
10
0 3 6 9 12 15
V
GS
=10thru4V
T
C
= 125
_
C
-- 5 5
_
C
V
DS
-- 流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
=15V
I
D
=6.3a
V
GS
=10V
I
D
=6.3a
3V
25
_
C
输出 特性 转移 特性
承担
V
DS
-- 流-至-源 电压 (v)
-- 电流 (一个)I
D
V
GS
-- 门-至-源 电压 (v)
-- 电流 (一个)I
D
-- 门-至-源 电压 (v)
Q
g
-- 总的 承担 (nc)
C -- 电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
-- 接合面 温度 (
_
c)
1V
2V
r
ds(在)
-- 在-resiistance
(normalized)
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