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资料编号:274316
 
资料名称:SI4816DY-T1
 
文件大小: 91.82K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4816DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码: 71121
s-41697—rev. e, 20-sep-04
典型 特性 (25
_
C 除非 指出) 频道-1
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0246810
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
V
GS
-- 门-至-源 电压 (v)
I
D
=10A
-- 在-阻抗 (
r
ds(在)
)
0.001
0
1
100
40
60
100.1
单独的 脉冲波 电源, 接合面-至-包围的
时间 (秒)
20
80
电源 (w)
-- 1 . 0
-- 0 . 8
-- 0 . 6
-- 0 . 4
-- 0 . 2
-- 0 . 0
0.2
0.4
0.6
--50 --25 0 25 50 75 100 125 150
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
T
J
= 150
_
C
I
D
= 250
m
一个
40
10
1
2
1
0.1
0.01
10
-- 4
10
-- 3
10
-- 2
10
-- 1
1 10 600
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
门槛 电压
Variance (v)V
gs(th)
T
J
-- 温度 (
_
c)
源-流 二极管 向前 电压
Normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 脉冲波 持续时间 (秒)
Normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
V
SD
-- 源-至-流 电压 (v)
-- 电流 (一个)I
S
1. 职责 循环, D =
2. 单位 根基 = R
thJA
= 100
_
c/w
3. T
JM
-- T
一个
=P
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
100
T
J
=25
_
C
0.01
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