Si4392DY
vishay siliconix
文档 号码: 72151
s-41427—rev.d, 26-jul-04
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3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
−
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
300
600
900
1200
1500
1800
0 6 12 18 24 30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
6
03691215
0.000
0.006
0.012
0.018
0.024
0.030
0 1020304050
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 v
I
D
= 12.5 一个
I
D
−
流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 12.5 一个
V
GS
= 10 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
−
门-至-源 电压 (v)
Q
g
−
总的 门 承担 (nc)
C
−
电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
−
接合面 温度 (
c)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.000
0.008
0.016
0.024
0.032
0.040
0246810
T
J
= 25
C
I
D
= 12.5 一个
50
10
0.1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
−
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
−
源-至-流 电压 (v) V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
源 电流 (一个)I
S
V
GS
= 4.5 v
1
T
J
= 150
C
r
ds(在)
−
在-resiistance
(normalized)
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