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资料编号:274371
 
资料名称:SI4392DY-T1-E3
 
文件大小: 55.27K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4392DY
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码: 72151
s-41427—rev.d, 26-jul-04
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
18
30
6
12
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
24
10
3
10
2
1 10 60010
1
10
4
100
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
50
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
温度 (
c)
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 70
c/w
3. t
JM
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
1 100 6001010
1
10
2
safe 运行 范围, 接合面-至-情况
V
DS
流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
100 ms
流 电流 (一个)I
D
0.1
限制 用
r
ds(在)
T
C
= 25
C
单独的 脉冲波
1 s
10 s
直流
10 ms
1 ms
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