E
smart 5 激励 块 记忆 家族
5
进步 信息
1.0 介绍
这个 数据手册 包含 规格 为 2-, 4-,
和 8-mbit smart 5 激励 块 flash memories.
部分 1.0 提供 一个 特性 overview. sections
2.0, 3.0, 和 4.0 describe 这 产品 和
符合实际. 部分 5.0 详细信息 这 电的 和
定时 规格 为 两个都 商业的 和
扩展 温度 运作. 最终, sections
6.0 和 7.0 提供 订货 和 涉及
信息.
1.1 新 特性 在 这
smart 5 记忆 产品
这 smart 5 激励 块 flash 记忆 家族 提供
完全同样的 特性 和 这 bv/cv/是/ce
smartvoltage 产品, 除了 这 smart 5 激励
块 -b5 部分 仅有的 支持 5 v v
CC
读 电压.
这 下列的 differences distinguish 这 smart 5
激励 块 产品 从 它们的 predecessors:
•
一个 延迟 是 必需的 如果 这 部分 是 重置 在 一个
在-progress 程序 或者 擦掉 运作.
•
在 这 fly 文字-字节 模式 切换 是 非
变长 supported. 文字-字节 模式 必须 是
配置 在 电源-向上 和 仍然是 稳固的
在 运作.
•
写 行动 是 非 变长 指定 作
we#- 或者 ce#-控制 在 favor 的 一个 simpler
“unified” 写 方法, 这个 是 兼容
和 也 的 这 old 方法.
1.2 产品 overview
这 smart 5 激励 块 记忆 家族 提供
引脚-兼容 flash memories 在 这
2-, 4-, 和 8-mbit densities. 这 28f200b5,
28f400b5, 和 28f800b5 能 是 配置 至
运作 也 在 16-位 或者 8-位 总线 模式, 和 这
数据 分隔 在 individually 可擦掉的 blocks. 这
28f004b5 提供 8-位 运作 在 一个 紧凑的
包装.
表格 1. smart 5 激励 块 家族: 特性 summary
特性 28F200B5 28F400B5 28F800B5 28F004B5 涉及
V
CC
读 电压 5 v
±
5%, 5 v
±
10% 部分 5.2
V
PP
prog/擦掉 电压 5 v
±
10% 或者 12 v
±
5%, 自动-发现 部分 5.2
总线-宽度 8- 或者 16-位 8- 或者 16-位 8- 或者 16-位 8-位 表格 2
速 (ns) 商业的 60, 80 70, 90 60, 80 部分 5.6
扩展 80 80 90 不 有 部分 5.6
记忆 arrangement x8: 256k x 8
x16: 128k x 16
x8: 512k x 8
x16: 256k x 16
x8: 1m x 8
x16: 512k x 16
x8: 512k x 8
Blocking 激励 1 x 16 kb 1 x 16 kb 1 x 16 kb 1 x 16 kb 部分 2.3,
参数 2 x 8 kb 2 x 8 kb 2 x 8 kb 2 x 8 kb figs. 4-7
主要的 1 x 96 kb
1 x 128 kb
1 x 96 kb
3 x 128 kb
1 x 96 kb
7 x 128 kb
1 x 96 kb
3 x 128 kb
激励 location 顶 或者 bottom 激励 locations 有
Locking 激励 块 lockable 使用 wp# 和/或者 rp#
所有 其它 blocks protectable 使用 v
PP
转变
部分 3.3
运行 温度 商业的: 0 °c – +70
°
c, 扩展: -40 °c – +85
°
C 部分 5.2
擦掉 cycling 100,000 循环 在 商业的, 10,000 循环 在 扩展
包装 44-psop, 48-tsop 40-tsop figs. 1-2
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