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资料编号:280354
 
资料名称:NE57811S
 
文件大小: 138.17K
   
说明
 
介绍:
Advanced DDR memory termination power with shutdown
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 数据
NE57811
先进的 ddr 记忆 末端 电源
和 关闭
2003 apr 02
3
订货 信息
类型 号码
包装
温度
类型号码
名字 描述 版本
范围
NE57811S spak-5 塑料 单独的-结束 表面 挂载 包装; 5 leads SOT756 0
°
c 至 +70
°
C
部分 号码 标记
这 包装 是 marked 和 这 部分 号码 下面 这 标志. 这
第二 线条 indicates 薄脆饼 lot 号码. 这 第一 四 characters 的
这 第三 线条 包含 一个 日期 代号. 这 remaining characters 是
制造 代号.
管脚 配置
12345
SL01691
V
TT
V
DD
V
SS
SHTDWN
RefOut
图示 2. 管脚 配置.
管脚 描述
管脚 标识 描述
1 V
TT
管制 terminator 电压
2 V
DD
电源 供应
3 V
SS
电路 地面 (便条 1)
4 SHTDWN 关闭
5 RefOut 涉及 电压 输出
便条:
1. 这 热的 backside 垫子 connects 用电气 至 v
SS
内部
和 提供 增强 至 热的 conductivity, 但是 它 应当
规格 应用 至 使用 的 这 v
SS
管脚 作 这 连接 至
地面.
最大 比率
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
DD
V
DD
至 v
SS
电压 –0.3 +3.6 V
T
amb
运行 包围的 温度 0 +70
°
C
T
stg
存储 温度 –40 +165
°
C
T
j
接合面 温度 160
°
C
R
th(j-一个)
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 16.5
°
c/w
P
D
电源 消耗 (便条 1) 3.3 W
便条:
1. 测试 在 一个 最小 footprint 在 一个 四-layer pcb 每 电子元件工业联合会 规格 jesd51-7.
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