文档 非. e0705e20 (ver. 2.0)
日期 发行 july 2005 (k) 日本
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elpida 记忆, 公司 2005
数据 薄板
512m 位 ddr2 sdram
ede5116afse (32m words
×
16 位)
描述
这 ede5116afse 是 一个 512m 位 ddr2 sdram
有组织的 作 8,388,608 words
×
16 位
×
4 banks.
它 是 packaged 在 84-球 fbga (
µ
BGA
) 包装.
特性
•
电源 供应: vdd, vddq
=
1.8v
±
0.1v
•
翻倍-数据-比率 architecture: 二 数据 transfers 每
时钟 循环
•
bi-directional, 差别的 数据 strobe (dqs 和
/dqs) 是 transmitted/received和 数据, 至 是 使用 在
capturing 数据 在 这 接受者
•
dqs 是 边缘 排整齐 和 数据 为 读: 中心-
排整齐 和 数据 为 写
•
差别的 时钟 输入 (ck 和 /ck)
•
dll aligns dq 和 dqs transitions 和 ck
transitions
•
commands entered 在 各自 积极的 ck 边缘: 数据
和 数据 掩饰 关联 至 两个都 edges 的 dqs
•
四 内部的 banks 为 concurrent 运作
•
数据 掩饰 (dm) 为 写 数据
•
burst 长度: 4, 8
•
/cas latency (cl): 3, 4, 5
•
自动 precharge 运作 为 各自 burst 进入
•
自动 refresh 和 自 refresh 模式
•
平均 refresh 时期
7.8
µ
s 在 0
°
C
≤
TC
≤
+
85
°
C
3.9
µ
s 在
+
85
°
C
<
TC
≤
+
95
°
C
•
sstl_18 兼容 i/o
•
posted cas 用 可编程序的 additive latency 为
更好的 command 和 数据 总线 效率
•
止-碎片-驱动器 阻抗 adjustment 和 在-消逝-
末端 为 更好的 信号 质量
•
/dqs 能 是 无能 为 单独的-结束 数据 strobe
运作.
•
fbga (
µ
bga) 包装 和 含铅的 自由 焊盘
(sn-ag-cu)
rohs 一致的
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