EDE5116AFSE
数据 薄板 e0705e20 (ver. 2.0)
5
电的 规格
•
所有 电压 是 关联 至 vss (地)
•
execute 电源-向上 和 initialization sequence在之前 恰当的 设备 operation 是 达到.
绝对 最大 比率
参数 标识 比率 单位 注释
电源 供应 电压 VDD
−
1.0 至 +2.3 V 1
电源 供应 电压 为 输出 VDDQ
−
0.5 至 +2.3 V 1
输入 电压 VIN
−
0.5 至 +2.3 V 1
输出 电压 VOUT
−
0.5 至 +2.3 V 1
存储 温度 Tstg
−
55 至 +100
°
c 1, 2
电源 消耗 PD 1.0 W 1
短的 电路 输出 电流 IOUT 50 毫安 1
注释: 1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 absolute 最大 比率 将 导致 永久的 损坏 至
这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 functional 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它
情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格是 不 暗指. 暴露
至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
2. 存储 温度 是 这 情况 表面 temperature 在 这 中心/t运算 一侧 的 这 dram.
提醒
exposing 这 设备 至 压力 在之上 那些 列表 在 绝对 最大 比率 可以 导致
永久的 损坏. 这 设备 是 不 meant 至 是 运作 下面 情况 外部 这 限制
描述 在 这 运算的 部分 的 这个 specification. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
运行 温度 情况
参数 标识 比率 单位 注释
运行 情况 温度 TC 0 至 +95
°
c 1, 2
注释: 1. 运行 temperature 是 这 情况 表面 temperature 在 这 中心/顶一侧 的 这 dram.
2. 支承的 0°c 至 +85°c 和 全部 交流 和 直流 规格.
支承的 0°c 至 +85°c 和 正在 能 至 扩展 至 +95°c 和 doubling 自动-refresh commands 在
频率 至 一个 32ms 时期 (trefi = 3.9
µ
s) 和 高等级的 温度 自-refresh entry 通过 a7 "1" 在
emrs (2).
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