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资料编号:290039
 
资料名称:EDS2532EEBH-75
 
文件大小: 718.9K
   
说明
 
介绍:
256M bits SDRAM (8M words x 32 bits)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
eds2532eebh-75
初步的 数据 薄板 e0639e50 (ver. 5.0)
6
直流 特性 2 (ta = 0
°
c 至 +70
°
c, vdd, vddq = 1.8v ± 0.1v, vss, vssq = 0v)
参数 标识 最小值 最大值 单位 测试 情况 注释
输入 泄漏 电流 ILI –1 1 µA 0
VIN
VDD
输出 泄漏 电流 ILO –1.5 1.5 µA 0
VOUT
vdd, dq = 使不能运转
输出 高 电压 VOH vdd –0.2 V ioh = –0.1 毫安 1
输出 低 电压 VOL 0.2 V iol = 0.1 毫安 1
便条: 1. 驱动器 力量 是 half 情况.
管脚 电容 (ta = 25°c,vdd, vddq = 1.8v ± 0.1v)
参数 标识 管脚 最小值 典型值 最大值 单位
注释
输入 电容 CI1 CLK 2.0 3.5 pF 1, 2, 4
CI2
地址, cke, /cs,
/ras, /cas, /我们,
DQM
2.0 — 3.5 pf 1, 2, 4
数据 输入/输出
电容
ci/o DQ 3.0 5.5 pF 1, 2, 3, 4
注释: 1. 电容 量过的 和 boonton meter 或者 有效的 电容 测量 方法.
2. 度量 情况: f = 1mhz, 0.5
×
vddq, 200mv 摆动.
3. dqm = vih 至 使不能运转 dout.
4. 这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
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