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资料编号:290039
 
资料名称:EDS2532EEBH-75
 
文件大小: 718.9K
   
说明
 
介绍:
256M bits SDRAM (8M words x 32 bits)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
eds2532eebh-75
初步的 数据 薄板 e0639e50 (ver. 5.0)
7
交流 特性 (ta = 0
°
c 至 +70
°
c, vdd, vddq = 1.8v ± 0.1v, vss, vssq = 0v)
-75
参数 标识 最小值 最大值 单位 注释
系统 时钟 循环 时间
(cl = 2)
tck 10 ns 1
(cl = 3) tCK 7.5 ns 1
clk 高 脉冲波 宽度 tCH 2.5 ns 1, 5
clk 低 脉冲波 宽度 tCL 2.5 ns 1, 5
进入 时间 从 clk tAC 6.0 ns 1, 2, 5, 6
数据-输出 支撑 时间 tOH 2.5 ns 1, 2, 5, 6
clk 至 数据-输出 低 阻抗 tLZ 0 ns 1, 2, 3, 5, 6
clk 至 数据-输出 高 阻抗 tHZ 6.0 ns 1, 4, 6
输入 建制 时间 tSI 1.5 ns 1, 5
输入 支撑 时间 tHI 0.8 ns 1, 5
ref/起作用的 至 ref/起作用的 command 时期 tRC 67.5 ns 1
起作用的 至 precharge command 时期 tRAS 45 120000 ns 1
起作用的 command 至 column command (一样 bank) tRCD 20 ns 1
precharge 至 起作用的 command 时期 tRP 20 ns 1
写 恢复 或者 数据-在 至 precharge 含铅的 时间 tDPL 15 ns 1
last 数据 在 起作用的 latency tDAL 2clk + 20ns
起作用的 (一个) 至 起作用的 (b) command 时期 tRRD 15 ns 1
转变 时间 (上升 和 下降) tT 0.5 1.0 ns
refresh 时期
(4096 refresh 循环)
tref — 64 ms
注释: 1. 交流 度量 假设 tt = 0.5ns.涉及 水平的 为 定时 的 输入 信号 是 0.5
×
vddq.
2. 进入 时间 是 量过的 在 0.5
×
vddq. 加载 情况 是 cl = 30pf.
3. tlz (最小值.) 定义 这 时间 在 这个 the 输出 achieves 这 低 阻抗 状态.
4. thz (最大值.) 定义 这 时间 在 这个 这输出 achieves 这 高 阻抗 状态.
5. 如果 tt
1ns, 各自 参数 是 changed 作 跟随;
tac, toh, tlz: 应当 是 增加 (tt (rise)/2 – 0.5)
tch, tcl, tsi, thi: 应当 是增加 {(tt (上升) + tt (下降))/2 – 1}
6. 驱动器 力量 是 half 情况.
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