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资料编号:29744
 
资料名称:1SS119
 
文件大小: 27.44K
   
说明
 
介绍:
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
 
 


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1SS119
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 单位
顶峰 反转 电压 V
RM
35 V
反转 电压 V
R
30 V
顶峰 向前 电流 I
FM
450 毫安
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流 I
FSM
*1 一个
平均 向前 电流 I
O
150 毫安
电源 消耗 Pd 250 mW
接合面 温度 Tj 175
°
C
存储 温度 Tstg –65 至 +175
°
C
便条: 在里面 1s 向前 surge 电流.
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
向前 电压 V
F
0.8 V I
F
= 10ma
反转 电流 I
R
0.1
µ
AV
R
= 30v
电容 C 3.0 pF V
R
= 1v, f = 1mhz
反转 恢复 时间 t
rr
* 3.5 ns I
F
= 10ma, v
R
= 6v, r
L
= 50
便条: 反转 恢复 时间 测试 电路
3k
0.1
µ
F
ro = 50
rin = 50
直流
供应
脉冲波
发生器
抽样
Oscilloscope
触发
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