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资料编号：29744
 
资料名称：1SS119
 
文件大小： 27.44K
   
说明：
 
介绍:
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
 
 


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1SS119
3
向前 电压 v (v)
F
0 0.2 0.8
10
10
–4
10
–3
向前 电流 i (一个)
F
–2
0.6
1.00.4
10
–1
1.2
ta = –25
°
C
ta = 25
°
C
ta = 125
°
C
ta = 75
°
C
图.1 向前 电流 vs. 向前 电压
反转 电压 v (v)
R
010
10
10
–9
10
–7
反转 电流 i (一个)
R
–6
30
4020
10
–5
10
–4
50
10
–8
ta = 75
°
C
ta = 125
°
C
ta = 25
°
C
图.2 反转 电流 vs. 反转 电压
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