EMIF03-SIM01_集成电路资料查询网

emif03-sim01
5/11
测试 板
EMI03
SIM01
50
Ω
Vg
50
Ω
图. a2:
度量 情况
在 增加 和 这 过滤 这 emif03-sim01 是 特别 优化 至 执行 静电释放 保护.
静电释放 保护 是 为基础 在 这 使用 的 设备 这个 clamps 在:
VV RI
cl br d pp
=+⋅
这个 保护 函数 是 splitted 在 2 stages. 作 显示 在 图示 a3, 这 静电释放 strikes 是 clamped 用 这
第一 平台 S1 和 然后 它的 remaining 超（电）压 是 应用 至 这 第二 平台 通过 这 电阻 r.
此类 一个 配置 制造 这 输出 电压 非常 低 在 这 Vout 水平的.
静电释放 保护
emif03-sim01
S1
r = 100 或者 47
ΩΩ
S2
Rg
Rd Rd
V
BR
V
BR
Vg
r 加载
静电释放 surge
设备
至 是
保护
Vin
Vout
图. a3:
静电释放 夹紧 行为

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emif03-sim01 5/11 测试板 EMI03 SIM01 50 Ω Vg 50 Ω 图. a2: 度量情况在增加和这过滤这 emif03-sim01 是特别优化至执行静电释放保护. 静电释放保护是为基础在这使用的设备这个 clamps 在: VV RI cl br d pp =+⋅ 这个保护函数是 splitted 在 2 stages. 作显示在图示 a3, 这静电释放 strikes 是 clamped 用这第一平台 S1 和然后它的 remaining 超（电）压是应用至这第二平台通过这电阻 r. 此类一个配置制造这输出电压非常低在这 Vout 水平的. 静电释放保护 emif03-sim01 S1 r = 100 或者 47 ΩΩ S2 Rg Rd Rd V BR V BR Vg r 加载静电释放 surge 设备至是保护 Vin Vout 图. a3: 静电释放夹紧行为

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