emif03-sim01
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至 有 一个 好的 approximation 的 这 remaining 电压 在 两个都 Vin 和 Vout stages, 我们 给 这 典型
动态 阻抗 值 rd. 用 带去 在 账户 这些 下列的 hypothesis : r>>rd, rg>>rd 和
rload>>rd, 它 给 这些 formulas:
Vinput
RV RV
R
gbr dg
g
=
⋅+⋅
Voutput
RV R V
R
br d 在
=
⋅+⋅
这 结果 的 这 计算 完毕 为 一个 IEC 1000-4-2 水平的 4 联系 释放 surge (vg=8kv,
Rg=330
Ω
) 和 Vbr=7V (典型值.) 给:
Vinput = 43.36v
Voutput = 7.65v (r = 100
Ω
)
8.38v (r = 47
Ω
)
这个 confirms 这 非常 低 remaining 电压 横过 这 设备 至 是 保护. 它 是 也 重要的 至 便条
那 在 这个 approximation 这 parasitic 电感 效应 是 不 带去 在 账户. 这个 可以 是 few
tenths 的 伏特 在 few ns 在 这 Vin 一侧. 这个 parasitic 效应 是 不 呈现 在 这 Vout 一侧 预定的 这 低
电流 involved 之后 这 序列 阻抗 r.
这 early ageing 和 destruction 的 IC’s 是 常常 预定的 至 获得-向上 phenomena 这个 mainly induced 用
dv/dt. 感谢 至 它的 RC 结构, 这 emif03-sim01 提供 一个 高 免除 至 获得-向上 用 integration 的
快 edges. (请 谈及 至 这 回馈 的 这 emif03-sim01 至 一个 30 ns 边缘 在 图. a9)
这 度量 完毕 here 之后 显示 非常 clearly (图. A5a &放大; a5b) 这 高 效率 的 这 静电释放
保护 :
- almost 非 影响 的 这 parasitic inductances 在 Vout 平台
- Vout 夹紧 电压 非常 关闭 至 Vbr 为 积极的 surge 和 关闭 至 地面 为 负的 一个
获得-向上 PHENOMENA
测试 板
EMI03
SIM01
v(在) v(输出)
图. a4:
度量 情况
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