EUP8051
ds8051 ver 1.2 将. 2005
11
承担 inhibit 函数
这 ts 管脚 能 是 使用 作 承担-inhibit 输入. 这 用户
能 inhibit 承担 用 连接 这 ts 管脚 至 vcc 或者
vss (或者 任何 水平的 外部 这 v
(ts1)
至 v
(ts2)
门槛).
应用 一个 电压 在 这 v
(ts1)
和 v
(ts2)
门槛 至 管脚
ts returns
这 charger 至 正常的
运作.
承担 状态 indication
这 eup8051 reports 这 状态 的 这 charger 在 这
3-状态 stat 管脚. 这 下列的 表格 summarized 这
运作 的 这 stat 管脚.
情况 stat 管脚
电池 conditioning 和 charging 高
承担 完全(完毕) 低
温度 故障 或者 睡眠 模式 hi-z
这 stat 管脚 能 是 使用 至 驱动 一个 单独的 led
(figure1), 双-碎片 leds (figure2) 或者 为 接口 至 一个
host 或者 系统
处理器 (figure11). 当 接合
这 eup8051 至 一个 处理器, 这 用户 能 使用 一个
输出
端口, 至 认识 这 高-z 状态 的 这 stat 管脚. 在
这个 配置, 这 用户 needs 至 读 这 输入 管脚,
toggle 这 输出 端口 和 读 这 stat 管脚 又一次. 在 一个
高-z 情况, 这 输入 端口 总是 matches 这
信号 水平的 在 这 输出 端口.
低-电源
睡眠 模式
当 这 输入 供应 是 disconnected, 这 charger
automatically enters 电源-节省 睡眠 模式.
仅有的 consuming 一个 过激-低 1µa 在 睡眠 模式, 这
eup8051 降低 电池 流 当 它 是 不
charging.
selecting 输入 电容
在 大多数 产品, 所有 那 是 需要 是 高-频率
解耦 电容. 一个 0.1µf 陶瓷的, 放置 在
proximity 至 vcc 和 vss 管脚, 工作 好. 这
eup8051 工作 和 两个都 管制 和 无秩序的
外部 直流 供应.
如果 一个 非-管制 供应
是 选择,
这 供应 单位 应当 有 足够的 电容 至 支撑
向上 这 供应 电压 至 这 最小 必需的 输入
电压 在 最大 加载. 如果 不, 更多 电容 必须
是 增加 至 这 输入 的 这 charger.
selecting 输出 电容
这 eup8051 做 不 需要 任何 输出 电容 为
循环 稳固.
在 顺序 至 维持 好的 交流 稳固 在 这 常量
电压 模式, 一个 最小 电容 的 10µf 是
recommenced 至 绕过 这 v
BAT
管脚 至 v
SS
. 这个
电容 提供 补偿 当 那里 是 非
电池 加载. 在 增加, 这 电池 和 interconnections
呈现 inductive 在 高 发生率. 这些 elements 是
在 这 控制 反馈 循环 d uring 常量 电压
模式. 因此, 这 绕过 电容 将 是
需要 至 compensate 为 这 inductive nature 的 这
电池 包装.
virtually 任何 好的 质量 输出 过滤 电容 能 是
使用, 独立 的 这 电容’s 最小 等效串联电阻
(有效的 序列 阻抗) 值. 这 真实的 值 的
这 电容 和 它的 有关联的 等效串联电阻 取决于 在 这
向前 跨导 (gm) 和 电容 的 这
外部 通过 晶体管. 一个 10µf tantalum 或者 铝
electrolytic 电容 在 这 输出 是 通常地 sufficient 至
确保 稳固 为 向上 至 一个 1a 输出 电流.
selecting 一个外部 pass-设备 (pmos 或者 pnp)
这 eup8051
是 设计 至 工作
和 两个都 p-频道
场效应晶体管 或者 pnp 晶体管. 这 设备 应当 是 选择
至 handle 这 必需的 电源 消耗, 给 这 电路
参数, pcb 布局 和 热温 下沉 配置. 这
下列的 examples illustrate 这 设计 处理 为
pmos 设备:
p-频道 场效应晶体管
选择 步伐 为 一个 p-频道 场效应晶体管: 我们 将 使用
这 下列的 情况: v
I
=5v (和 10% 供应
容忍); i
(reg)
=1a, 4.2-v 单独的-cell li-ion.
V
I
是 这
输入 电压 至 这 charger 和 i
(reg)
是 这 desired
承担 电流. (看 figure2)
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