EUP8051
ds8051 ver 1.2 将. 2005
12
1.
决定 这 最大 电源 消耗, p
D
, 在
这 晶体管.
这 worst 情况 电源 消耗 发生 当 这
cell 电压,
V
(常量)
, 是 在 它的 最低 (典型地 3.1v
在 这 beginning 的 电流 规章制度 阶段) 和
V
I
是 在 它的 最大.
在哪里
V
D
是 这 向前 电压
漏出 横过 这 反转-blocking 二极管 (如果 一个 是
使用), 和 v
CS
是 这 电压 漏出 横过 这 电流
sense 电阻.
P
D
=(v
i(最大值)
V
D
V
CS
V
BAT
) I
REG
--------- (7)
P
D
=(5.5 0.4 0.2 3.1) 1A
P
D
=1.8w
2.
决定 这 包装 大小 需要 在 顺序 至 保持
这 接合面 温度 在下 这 生产者’s
推荐 值, t
JMAX
. 计算 这 总的 theta,
θ
(°c/w), 需要.
D
P
)
一个(最大值)
t-
最大值(j)
(t
JA
θ
=
-
-------------(8)
1.8
40)-(150
JA
θ
=
θ
JA
= 61°c/w
它 是 推荐 至 choose 一个 包装 和 一个 更小的
θ
JA
比 这 号码 计算 在之上.
3.
选择 一个 流-源 电压, v
(ds)
, 比率 更好
比 这 最大 输入 电压. 一个 12v 设备 将
是 足够的 在 这个 例子.
4.
选择 一个 设备 那 有 在 least 50
%
高等级的 流
电流 (i
D
) 比率 比 这 desired 承担 电流
I
(reg
).
5.
核实 那 这 有 驱动 是 大 足够的 至
供应 这 desired 承担 电流.
V
(gs)
=(v
D
+V
(cs)
+V
ol(cc)
) V
i(最小值)
-------------- (9)
V
(gs)
=(0.4+0.2+1)
4.5
V
(gs)
=-2.9
在哪里
V
(gs)
是 这 门-至-源 电压, v
D
是 这
向前 电压 漏出 横过 这 反转-blocking 二极管
(如果 一个 是 使用), 和
V
CS
是 这 电压 漏出 横过 这
电流 sense 电阻, 和 v
ol(cc)
是 这 cc 管脚 输出
低 电压 规格 为 这 eup8051.
选择 一个 场效应晶体管 和 门 门槛 电压,
V
(gsth)
,
比率 较少 比 这 计算 v
(gs)
.
反转 blocking 保护
这 optional 反转-blocking 保护 二极管,
depicted 在 figure1&放大;2 提供 保护 从 一个
faulted 或者 短接 输入, 或者 从 一个 使反转-极性
输入 源. 没有 这 保护 二极管, 一个 faulted 的
短接 输入 将 释放 这 电池 包装 通过
这 身体 二极管 的 这 外部 通过 晶体管.
如果 一个 反转-保护 二极管 是 组成公司的 在 这
设计, 它 应当 是 选择 至 handle 这 快 承担
电流 continuously 在 这 最大 包围的
温度. 在 增加, 这 反转-泄漏 电流 的
这 二极管 应当 是 保持 作 小 作 可能.
: 点此下载
