M27C1024-10F1X_集成电路资料查询网

标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流 0V
≤
V
在
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
CC
供应 电流
E=V
IL
,g=v
IL
,
I
输出
= 0ma, f = 5MHz
35 毫安
I
CC1
供应 电流 (备用物品) TTL E = V
IH
1mA
I
CC2
供应 电流 (备用物品) CMOS E > V
CC
– 0.2v 100
µ
一个
I
PP
程序 电流 V
PP
=V
CC
100
µ
一个
V
IL
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
(2)
输入 高 电压 2 V
CC
+1 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 2.1ma 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 TTL I
OH
= –400
µ
一个 2.4 V
输出 高 电压 CMOS I
OH
= –100
µ
AV
CC
– 0.7 V
注释:
1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 和 或者 之后 V
pp.
2. 最大 直流 电压 在 输出 是 V
CC
+0.5v.
表格 7. 读 模式 直流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70
°
c, –40 至 85
°
c; –40 至 105
°
C 或者 –40 至 125
°
c; V
CC
=5V
±
5% 或者 5V
±
10%; V
PP
=V
CC
)
标识 Alt 参数 测试 情况
M27C1024
单位
-35
(3)
-45
(3)
-55
(3)
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
AVQV
t
ACC
地址 有效的 至 输出 有效的 E = V
IL
,g=V
IL
35 45 55 ns
t
ELQV
t
CE
碎片 使能 低 至 输出 有效的 G = V
IL
35 45 55 ns
t
GLQV
t
OE
输出 使能 低 至 输出 有效的 E = V
IL
20 25 30 ns
t
EHQZ
(2)
t
DF
碎片 使能 高 至 输出 hi-z G = V
IL
030030030ns
t
GHQZ
(2)
t
DF
输出 使能 高 至 输出 hi-z E = V
IL
030030030ns
t
AXQX
t
OH
地址 转变 至 输出
转变
E=V
IL
,g=V
IL
000 ns
注释:
1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 和 或者 之后 V
pp.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
3. 速 得到 和 高 速 交流 度量情况.
表格 8一个. 读 模式 交流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70
°
c, –40 至 85
°
c; –40 至 105
°
C 或者 –40 至 125
°
c; V
CC
=5V
±
5% 或者 5V
±
10%; V
PP
=V
CC
)
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M27C1024

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标识参数测试情况最小值最大值单位 I LI 输入泄漏电流 0V ≤ V 在 ≤ V CC ± 10 µ 一个 I LO 输出泄漏电流 0V ≤ V 输出 ≤ V CC ± 10 µ 一个 I CC 供应电流 E=V IL ,g=v IL , I 输出 = 0ma, f = 5MHz 35 毫安 I CC1 供应电流 (备用物品) TTL E = V IH 1mA I CC2 供应电流 (备用物品) CMOS E > V CC – 0.2v 100 µ 一个 I PP 程序电流 V PP =V CC 100 µ 一个 V IL 输入低电压 –0.3 0.8 V V IH (2) 输入高电压 2 V CC +1 V V OL 输出低电压 I OL = 2.1ma 0.4 V V OH 输出高电压 TTL I OH = –400 µ 一个 2.4 V 输出高电压 CMOS I OH = –100 µ AV CC – 0.7 V 注释: 1. V CC 必须是应用同时发生地和或者在之前 V PP 和移除同时发生地和或者之后 V pp. 2. 最大直流电压在输出是 V CC +0.5v. 表格 7. 读模式直流特性 (1) (t 一个 = 0 至 70 ° c, –40 至 85 ° c; –40 至 105 ° C 或者 –40 至 125 ° c; V CC =5V ± 5% 或者 5V ± 10%; V PP =V CC ) 标识 Alt 参数测试情况 M27C1024 单位 -35 (3) -45 (3) -55 (3) 最小值最大值最小值最大值最小值最大值 t AVQV t ACC 地址有效的至输出有效的 E = V IL ,g=V IL 35 45 55 ns t ELQV t CE 碎片使能低至输出有效的 G = V IL 35 45 55 ns t GLQV t OE 输出使能低至输出有效的 E = V IL 20 25 30 ns t EHQZ (2) t DF 碎片使能高至输出 hi-z G = V IL 030030030ns t GHQZ (2) t DF 输出使能高至输出 hi-z E = V IL 030030030ns t AXQX t OH 地址转变至输出转变 E=V IL ,g=V IL 000 ns 注释: 1. V CC 必须是应用同时发生地和或者在之前 V PP 和移除同时发生地和或者之后 V pp. 2. 抽样仅有的, 不 100% 测试. 3. 速得到和高速交流度量情况. 表格 8一个. 读模式交流特性 (1) (t 一个 = 0 至 70 ° c, –40 至 85 ° c; –40 至 105 ° C 或者 –40 至 125 ° c; V CC =5V ± 5% 或者 5V ± 10%; V PP =V CC ) 5/15 M27C1024

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