M27C1024-10F1X_集成电路资料查询网

标识 Alt 参数 测试 情况
M27C1024
单位
-70 -80/-90
-10/-12/
-15/-20
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
AVQV
t
ACC
地址 有效的 至 输出 有效的 E = V
IL
,g=v
IL
70 80 100 ns
t
ELQV
t
CE
碎片 使能 低 至 输出 有效的 G = V
IL
70 80 100 ns
t
GLQV
t
OE
输出 使能 低 至 输出 有效的 E = V
IL
35 40 50 ns
t
EHQZ
(2)
t
DF
碎片 使能 高 至 输出 hi-z G = V
IL
0 30 0 30 0 30 ns
t
GHQZ
(2)
t
DF
输出 使能 高 至 输出 hi-z E = V
IL
0 30 0 30 0 30 ns
t
AXQX
t
OH
地址 转变 至 输出
转变
E=V
IL
,g=v
IL
000ns
注释:
1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 和 或者 之后 V
pp.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
表格 8b. 读 模式 交流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70
°
c, –40 至 85
°
c; –40 至 105
°
C 或者 –40 至 125
°
c; V
CC
=5V
±
5% 或者 5V
±
10%; V
PP
=V
CC
)
AI00705B
tAXQX
tEHQZ
a0-a15
E
G
q0-q15
tAVQV
tGHQZ
tGLQV
tELQV
有效的
hi-z
有效的
图示 5. 读 模式 交流 波形
6/15
M27C1024

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标识 Alt 参数测试情况 M27C1024 单位 -70 -80/-90 -10/-12/ -15/-20 最小值最大值最小值最大值最小值最大值 t AVQV t ACC 地址有效的至输出有效的 E = V IL ,g=v IL 70 80 100 ns t ELQV t CE 碎片使能低至输出有效的 G = V IL 70 80 100 ns t GLQV t OE 输出使能低至输出有效的 E = V IL 35 40 50 ns t EHQZ (2) t DF 碎片使能高至输出 hi-z G = V IL 0 30 0 30 0 30 ns t GHQZ (2) t DF 输出使能高至输出 hi-z E = V IL 0 30 0 30 0 30 ns t AXQX t OH 地址转变至输出转变 E=V IL ,g=v IL 000ns 注释: 1. V CC 必须是应用同时发生地和或者在之前 V PP 和移除同时发生地和或者之后 V pp. 2. 抽样仅有的, 不 100% 测试. 表格 8b. 读模式交流特性 (1) (t 一个 = 0 至 70 ° c, –40 至 85 ° c; –40 至 105 ° C 或者 –40 至 125 ° c; V CC =5V ± 5% 或者 5V ± 10%; V PP =V CC ) AI00705B tAXQX tEHQZ a0-a15 E G q0-q15 tAVQV tGHQZ tGLQV tELQV 有效的 hi-z 有效的图示 5. 读模式交流波形 6/15 M27C1024

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