k9f3208w0a-tcb0, k9f3208w0a-tib0 flash 记忆
2
4m x 8 位 与非 flash 记忆
这 k9f3208w0a 是 一个 4m(4,194,304)x8bit 与非 flash mem-
ory 和 一个 spare 128k(131,072)x8bit. 它的 与非 cell 提供
这 大多数 费用-有效的 解决方案 为 这 固体的 状态 mass 存储
market. 一个 程序 运作 programs 这 528-字节 页 在
典型 250
µ
s 和 一个 擦掉 运作 能 是 执行 在 typi-
cal 2ms 在 一个 8k-字节 块.
数据 在 这 页 能 是 读 输出 在 50ns 循环 时间 每 字节.
这 i/o 管脚 提供 作 这 端口 为 地址 和 数据 输入/输出-
放 作 好 作 command 输入. 这 在-碎片 写 控制
automates 所有 程序 和 擦掉 系统 功能, 包含
脉冲波 repetition, 在哪里 必需的, 和 内部的 verification 和
margining 的 数据. 甚至 这 写-intensive 系统 能 引领
有利因素 的 这 k9f3208w0a 扩展 可靠性 的
1,000,000 程序/擦掉 循环 用 供应 ecc(错误 cor-
rection 代号) 和 real 时间 mapping-输出 algorithm. 这
k9f3208w0a 是 一个 最佳的 解决方案 为 大 nonvolatile 贮存-
age 应用 此类 作 固体的 状态 存储, 数字的 voice
recorder, 数字的 安静的 camera 和 其它 可携带的 产品
需要 nonvolatility.
一般 描述特性
•
电压 供应 : 2.7v ~ 5.5v
•
Organization
- 记忆 cell 排列 : (4m + 128k)位 x 8bit
- 数据 寄存器 : (512 + 16)位 x8bit
•
自动 程序 和 擦掉
- 页 程序 : (512 + 16)字节
- 块 擦掉 : (8k + 256)字节
- 状态 寄存器
•
528-字节 页 读 运作
- 随机的 进入 : 10
µ
s(最大值.)
- 串行 页 进入 : 50ns(最小值.)
•
快 写 循环 时间
- 程序 时间 : 250
µ
s(典型值.)
- 块 擦掉 时间 : 2ms(典型值.)
•
command/地址/数据 多路复用 i/o 端口
•
硬件 数据 保护
- 程序/擦掉 lockout 在 电源 transitions
•
可依靠的 cmos floating-门 技术
-忍耐力 : 1million 程序/擦掉 循环
- 数据 保持 : 10 年
•
command 寄存器 运作
•
44(40) - 含铅的 tsop 类型 ii (400mil / 0.8 mm 程度)
- 向前 类型
管脚 配置
便条
: 连接 所有 vcc,VCCq 和 vSS管脚 的 各自 设备 至 电源 供应 输出.
做 不 leave vCC或者 vSSdisconnected.
VSS
CLE
ALE
我们
WP
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
i/o0
i/o1
i/o2
i/o3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22 VCCQ
i/o4
i/o5
i/o6
i/o7
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
n.c
地
r/B
RE
CE
VCC
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
44(40) tsop (ii)
标准 类型
管脚 名字 管脚 函数
i/o0 ~ i/o7 数据 输入/输出
CLE command 获得 使能
ALE 地址 获得 使能
CE 碎片 使能
RE 读 使能
我们 写 使能
WP 写 保护
SE spare 范围 使能
r/B 准备好/busy 输出
地 地面 输入
VCC 电源(2.7v ~ 5.5v)
VCCQ 输出 butter 电源(2.7v ~ 5.5v)
VSS 地面
n.c 非 连接
管脚 描述
: 点此下载
